本文目录一览：
- 1、三极管MOS的三个极分别是哪三个极。
- 2、这个图中两个三极管和MOS管是怎么配合工作的?
- 3、用三极管直接驱动MOS可以吗,需要注意点什么?
- 4、三极管是怎么驱动mos管的?
- 5、为什么MOS管要用三极管驱动?
三极管MOS的三个极分别是哪三个极。
MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E分成NPN和PNP两种MOS管的源source和漏drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端。
三极管有三个电极，分别是发射极（e）、基极（b）和集电极（c）。三极管是一种非常重要的电子元件，具有电流放大和开关控功能，是电子电路中的基础组件之一。发射极（e）是三极管中发射电子的极，它通常与电路中的负极相连。
三级为：分别为基极（b） 、发射极（e）和集电极（c）。
这个图中两个三极管和MOS管是怎么配合工作的?
1、个三极管串起来叫推挽工作。一个导通时另一个截止。另一个导通时这个截止。2对并接，如果输出端也并只是增加输出电流，如果不并，通常用作逆变电路或改变直流电机方向。
2、总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。
3、MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
4、较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。
5、两个三极管QQ3是开关推挽工作，正常逻辑应该是这样：光耦TF1有信号时，上管Q2导通，驱动MOS管开通。光耦TF1无信号时，上管Q2截止，下管Q3导通，迫使MOS管关断。
6、集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。
用三极管直接驱动MOS可以吗,需要注意点什么?
MOS管不只能够做开关电路，也能够做仿照拓宽，因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。
这样的充电电流同常达到安A级以上，这是单片机io口所不能达到的，所以我们需要用到三极管放大信号电流从而达到快速通断mos管的效果。
用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。
管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。而三极管的多子载流子和少子 载流子均参与导电，是“双极型”器件；d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。
两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。
三极管是怎么驱动mos管的?
1、a. 三极管是电流控制型元件，MOS 管是电压控制元件；b. 正常工作时，三极管的两个PN 结一个正偏一个反偏，而MOS 管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。
2、答案是可以的！具体请参考如下分析：不过MOS驱动，有几个特别的需求 1，低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
3、从mos管的电路符号可以知道栅极G和基底之间存在一个较大的寄生电容，这个电容也正是栅极能控制巨大电流通断的关键。学过模电的都知道，电容从零电压充电到额定电压是需要时间的，电容容值越大所需的充电时间就越长。
4、两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。
5、三极管是电流控制型器件。真正要弄明白三极管的工作原理要学量子力学，固体物理学，半导体物理学，晶体管原理4门课 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
为什么MOS管要用三极管驱动?
MOS管虽然是电压控制器件，在工作在较高频率下栅极反复充放电也是需要较大电流的，要利用三极管的开关为栅极提供充放电回路。
是大电流驱动MOS管，让MOS管快速导通，减少MOS管的开关损耗。这种电路一般用在高频开关电源上。
管的两个PN 结均需 反偏；c. MOS 主要通过多子载流子导电，是“单极型”器件。而三极管的多子载流子和少子 载流子均参与导电，是“双极型”器件；d. MOS 管可以在低电流低电压下工作，因而广泛应用于半导体集成电路。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。
三极管和mos管差异很大：一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（MOS）；三极管廉价，mos管贵。三极管损耗大。mos管常用来电源开关，以及大电流本地开关电路。