mos管极（mos管极性判断）

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区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

MOS管和三极管有什么区别如下：控制原理不同 MOS管用电压控制，三极管用电流控制。成本造价不同 MOS管造价贵，三极管造价低。功率消耗不同 MOS管功耗低，三极管功耗大。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

mos管极（mos管极性判断）

数字万用表置电阻挡，先假设一极为G，接红笔，黑笔接一极设为S，黑笔不动，红笔接第三极，若电阻很小，假设成功，红为G，黑为S，第三极为D.反复假设测量，符合以上假设完成测试。

将数字万用表拨到二极管档，然后先将场效应管的三只引脚短接，接着用两只表笔分别接触场效应管只引脚中的两只，测量三组数据。

用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

用指针万用表检测三极管的极性方法是这样的；首先将万用表功能旋钮置于Rx100或Rx1K挡，将黑表笔接在某一只引脚上不动，红表笔分别测量另外两只引脚。

1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

2、MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。

3、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

4、MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。

5、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

6、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

2、控制原理不同 MOS管用电压控制，三极管用电流控制。成本造价不同 MOS管造价贵，三极管造价低。功率消耗不同 MOS管功耗低，三极管功耗大。

3、速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

4、场效应管是一种特殊的晶体管，它是电压控制的器件，而普通三极管都是电流控制的器件。开关管、功率管这些是针对用途来说的，它可能是三极管也可能是场效应管，做开关用途时就叫开关管，做大功率控制的时候就叫功率管。

5、区别节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。

6、根据不同的功能这两种都可用于做行管。你的这些概念是不同的分类方式的不同叫法，比如按功率分三极管和场管都有大功率管和小功率管，大功率管简称功率管。开关管得叫法是按用途来分，如开关管，放大管，发射管等。

1、电压等级电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。需要注意的是VDS与温度有关，因此应考虑器件的温度系数。

2、- 这个通道的导电性质由栅极电压控制，从而调控了电流的流动。类型：- N沟道型（n-channel MOSFET）：电荷载流子是电子。- P沟道型（p-channel MOSFET）：电荷载流子是空穴。

3、主要结构：N沟道MOSFET通常由三个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。两个P型的半导体区域位于N型半导体基片上，形成了源极和漏极之间的N型沟道。

4、MOSFET在没有电压的情况下是关闭状态。当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时（也称为门限电压），栅极不能控制沟道中的电子（或空穴）流动。