去耦电容和旁路电容（去耦电容和旁路电容详解）

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1、式中Co--两平板电极间的真空电容；C--两平板电极间装有待测物质时的电容。其比值称为待测物质的介电常数。物质的偶极矩越大，待测物与电场的相互作用越大，其介电常数越大。

2、偶极矩是正、负电荷中心间的距离和电荷中心所带电量的乘积，它是一个矢量，方向规定为从正电中心指向负电中心，用符号μ表示，单位为D（德拜）。

3、然后在低频电场中测量溶液的介电常数和溶液的密度求得摩尔极化度；在可见光下测定溶液的摩尔折射度，然后计算正丁醇的偶极矩。实验装置如右上图：左边是精密电容测量仪，中间是电容池，右边是阿贝折射仪。

4、溶液法是测量偶极矩的一种简便易行的方法，它利用了稀溶液的电容、密度、和折射率与溶质摩尔分数的线形关系。

去耦电容和旁路电容（去耦电容和旁路电容详解）

1、电容特性如下：说电容的四个主要特性：充电、放电、隔直、通交；当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。

2、电容的特性包括以下几个方面：充电和放电：电容本质上是一个存储电荷的器件，当电容两端加上电压时，它会存储电荷；当电压被移除或降低时，电容会释放电荷。电容的充电和放电过程非常快速，这使得它能够瞬时地存储大量电荷。

3、电容，即电容器的特性有三点，如下所示：它具有充放电特性和阻止直流电流通过，允许交流电流通过的能力。在充电和放电过程中，两极板上的电荷有积累过程，也即电压有建立过程，因此，电容器上的电压不能突变。

1、由两个金属极，中间夹有绝缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示在电路中编号为8的电容。②电容的分类。

2、交流放大电路中，输入输出回路中电容有两种，作用分别是旁路作用和耦合作用。旁路电容：可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容”。

3、旁路电容，又称为退耦电容，其实也是耦合电容的一种，只不过是把直流电源中的交流分量，通过电容耦合到电源地中，起到了净化直流电源的作用。

这样电流就形成了传导的脉冲干扰，对其他数字器件可能产生误动作，严重影响电路的正常工作，所以一般的数字IC，在电源的引脚旁，一般都有个0.1uF的去耦电容。

c.去耦电容主要对输出信号的干扰作为滤除对象；功能主要有两个；储能，主要是负载瞬态电流发生变化时，电容对负载放，担负局部电源作用；阻抗，主要是降低电源系统的交流阻抗。

陶瓷电容也叫瓷介质电容。多使用在高频电路中，对高频信号损耗比较小，用于高频谐振回路比较稳定可靠，去(退)耦(合)电容一般在高频回路上下级之间，用于防止电路自激而设计的。

所以一般的旁路电容要比去藕电容小很多，根据不同的负载设计情况，去藕电容可能区别很大，当旁路电容一般变化不大。

耦合电容是用来在电力网络中传送信号的电容。其作用就是为高频弱电信号提供通路，同时阻止高压直流隔开。

1、去藕电容和旁路电容去藕电容就是起到一个小电池的作用，满足电路中电流的变化，避免相互间的耦合干扰。关于这个的理解可以参考电源掉电，Bulk电容的计算，这是与之类似的。

2、去耦电容－用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。旁路电容_用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。去耦电容作用：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。

3、耦合：电容主要作用之一就是耦合，同时在耦合电路里用电容就叫做耦合电容，主要就是允许交流信号并传输到下一个电路。

4、去耦电容：防止放大电路前后级通过电源耦合产生的自激，通常用于电路的供电位置。旁路电容：给交流信号（或高频干扰）提供一个捷径，通常用于需要减小交流阻抗（高频阻抗）的地方，比如并在三极管用于稳定工作点的发射极电阻两端。

去藕电容和旁路电容去藕电容就是起到一个小电池的作用，满足电路中电流的变化，避免相互间的耦合干扰。关于这个的理解可以参考电源掉电，Bulk电容的计算，这是与之类似的。

去耦电容－用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。旁路电容_用在有电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利通过。去耦电容作用：去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的RF能量。

耦合：电容主要作用之一就是耦合，同时在耦合电路里用电容就叫做耦合电容，主要就是允许交流信号并传输到下一个电路。

去耦电容：防止放大电路前后级通过电源耦合产生的自激，通常用于电路的供电位置。旁路电容：给交流信号（或高频干扰）提供一个捷径，通常用于需要减小交流阻抗（高频阻抗）的地方，比如并在三极管用于稳定工作点的发射极电阻两端。