mos管光耦（光耦 mos）

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三极管输出类型的光耦；高速输出类型的光耦；逻辑IC输出类型的光耦；可控硅输出类型的光耦；继电器输出类型的光耦光耦是由三部分组成，就是“光的发射、光的接收及信号放大。

单片机 PWM 信号输出控制大功率LED 灯的亮度，一般 1W 的 LED 灯电流大约在 300 mA 左右，三极管功率要大一些，或者可以用 MOSFET 管。

当PWM输入为高电平时，光耦未导通，根据电阻的分压，输出端电压接近12V，此时NMOS管的UG大于开启电压，NMOS管导通，RDS极小，所以加热片上的压降很大，电热片加热。

用光耦隔离后接继电器输出是控制高压大型电路的方法，可靠性当然更高。当然，可靠性最高的一定是三极管、光耦、继电器等一起上（这不废话么）。但它们的成本也是逐渐提高的，所以杀鸡还是不要用牛刀。

比较器输出低电平，封锁PWM驱动信号，关闭电源。比较器输入极性稍加变动，亦可用高电平封锁PWM信号。这种缺相保护电路采用光耦隔离强电，安全可靠，RPRP2用于调节缺相保护动作阈值。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。

R96电阻是下拉电阻，目的是没有信号时，输入端于地连接电压接近零。R95电阻有两个作用，输入来的信号分压，和输入电流限流。DO输入的高信号有效。

mos管光耦（光耦 mos）

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。