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集成电路放时间长了引脚氧化有什么好办法处理??
集成电路管脚表面氧化只是焊接性能不好，内部的电性能是好的只要焊接的好没有假焊是可以使用的，你在焊接时可以使用表面活性强的助焊剂就可以焊接的很好。
定期用碳粉处理镀液（无论多么优质的药水，都有一定的分解） 3。强化清洗 4。
用砂布打磨，或用手锯条的断面刮一刮，以去除氧化层。然后用烙铁和锡丝镀锡即可，锡丝内芯有助焊剂，只要刮除氧化层就很好上锡。
下面列举的维修方法各有优势和局限性，往往结合使用。 清洁法 可用毛刷轻轻刷去主板上的灰尘，另外，主板上一些插卡、芯片采用插脚形式，常会因为引脚氧化而接触不良。可用橡皮擦去表面氧化层，重新插接。
TTL不使用的输入引脚可以悬空，悬空即为输入高电平。CMOS不使用的输入引脚应接高电平或地，因CMOS器件悬空时电路上会感应出高电压，会损坏芯片。两种电路不用的输出悬空。TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。
具体怎么处理，需要看芯片说明，有些芯片要求未使用的引脚必须拉高或 拉低，一般来说可以不处理，如果你用的是protel，可以在未使用的引脚上放置NO erc，就是那个×号。
ic集成电路工艺的氧化工艺步骤
晶片准备：开始时，需要准备晶片的硅片（wafer）。这些硅片在后续步骤中会被用来制造电子元件。 清洁和清洗：硅片需要经过严格的清洁和清洗过程，以去除表面的杂质和污染物。
工件装夹→去油→清洗→酸洗→清洗→氧化→清洗→皂化→热水煮洗→检查。（1）工件装夹：要根据工件的形状、大小，设计专门的夹具或吊具。
在一个自排列（CMOS）过程中，所有门层（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。 电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。 电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。
集成电路的制作过程分为以下步骤：首先，晶圆制造厂会将硅纯化，溶解成液态，从中拉出柱状的硅晶柱。一边旋转一边成型，旋转拉起的速度以及温度的控制影响到整体质量。晶柱切成薄片，经过抛光后，变成晶圆。
双极型集成电路的工艺制备
解析：双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。它包括数字集成电路和线性集成电路两类。
基底材料：双极集成电路通常使用n型或p型硅基底，而晶体管则使用单一的n型或p型硅基底。
基本结构不同：双极集成电路采用双极型晶体管作为基本元件，而晶体管则是单极型晶体管。双极型晶体管由P型和N型半导体材料构成，而单极型晶体管只由一种类型的半导体材料构成。
③ 双极型集成电路通常采用扩散电阻。电路中按电阻阻值大小选择制备电阻的工艺，大多数是利用晶体管基区P型扩散的同时，制作每方约 150～200欧·厘米的P型扩散电阻。
双极集成电路采用了埋层工艺和隔离技术，晶体管工艺采用了熔合或合金技术，而且双极集成电路使用的是双极晶体管，晶体管采用了晶体管，所以在工艺流程上面的不同，就是选用材料和制作工艺的不同。
集成电路中ge氧化是什么
1、氧化是指反应物在化学反应中失去电子的反应。物质与氧气发生的化学反应是氧化反应的一种；氧气可以和许多物质发生化学反应。得电子的作用叫还原。狭义的氧化指物质与氧化合；还原指物质失去氧的作用。
2、是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。
3、集成电路模型1 集成电路在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
4、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
5、氧化是反应物在化学反应中失电子的反应的意思。氧化时氧化值升高；还原时氧化值降低。有机物反应时把有机物引入氧或脱去氢的作用叫氧化；引入氢或失去氧的作用叫还原。
6、你好！所谓的集成电路，实际上主要的就是集成了几百至上百万个晶体管。而目前应用的最好的半导体材料就是硅和锗，用它们才能构成晶体管，用的就是它们单向导电的特性。为什么不用锗，我倒不是很清楚。