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可控硅阴阳两极压降是o.115是好还是坏
测试结果若如上所述，则说明可控硅是好的，否则可控硅已损坏。 中间的小坑是安装时定位用的无特殊用途。 希望能对你有帮助。
测试结果若如上所述，则说明可控硅是好的，否则可控硅已损坏。
单向可控硅，使用指针表的R×1档位，先找出两个正反向都不通的脚，剩余的那支脚必然是控制极。
可控硅过热怎么办?
1、铺铜，铜上再露网格状铜，网格的线条弄宽一些，譬如2mm，露铜的地方再上锡，这样的散热效果就会好些了。烤盘的功率怎么也有上千瓦吧，可控硅要选电流更大一点的。
2、加大散热可以驱动。散热器的散热面积至少是to-220的20倍，自然冷却。可以使用一个显卡上的带金属板小风扇，将你的晶闸管直接安装在金属板上，风冷散热。建议使用26A的晶闸管，也是TO-220封装，价格差异很小。
3、嗯，这个软启动开关显示可控硅过热的话应该是现在他的处理已经超载了这个时候的话，我们就应该关注关注这个系统。
4、电除尘设备过载使用，即超过了可控硅的额定功率或电流范围，它可能会过热并导致发热严重。可控硅需要适当的散热来保持正常工作温度，电除尘设备中的散热设计不良或散热系统出现问题，可控硅可能无法有效散热。
可控模块硅导通压降有多大
一般情况下，双向可控硅的导通压降在几百毫伏到5伏之间。具体数值还需要根据具体的型号和规格进行确认。
.5V。可控硅晶闸管是一种半导体电子器件，常用于控制高功率交流电的整流和开关，当电流流过可控硅晶闸管时，会出现一定的压降，在0.5V左右。
单相可控硅一般都是用触发脉冲触发的，导通后内部电流从阳极流到阴极P-N-P-N，从阳极到触发极到阴极，可见到触发极的电压比阳极电压低二个PN极，再经一个PN极到阴极，可控硅导通压降在2V左右。
一个实际的硅二极管正向电压降要看流过的电流大小。uA级电压0.4V左右；mA级0.7V左右；安培级1V左右。
可控硅是一种半导体器件，用于控制电路中的电流。在正常工作情况下，可控硅的阴阳极压降应该在0.5V左右。如果阴阳极压降小于0.5V，可能会导致控制电路失效，而如果阴阳极压降过大，可能会导致可控硅的损坏。
可控硅工作时只有两个状态：截止——导通。截止时电阻为无穷大。导通时的正向压降为0.7——5V，不用阻值计算。控制输出电流使用导通角计算。
双向可控硅导通压降有多大
V1100W，电流在5A，双向可控硅的压降在2V左右，也就是说在TO-220上的功耗在11W左右，肯定温度飙升。加大散热可以驱动。散热器的散热面积至少是to-220的20倍，自然冷却。
可控模块硅导通压降55伏 可控硅BTA12-800BWRG的开启状态（导通）电压=55伏。栅 触发（导通）电压=3伏 。
可控硅的工作电压从100到5000v，通态电流从安到几千安，小功率管压降为1v左右，大功率管4v左右。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时AA2间压降也约为1V。