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2cw7晶体型号含义与极性
1、cw7晶体型号含义与极性如下：含义：2cw7是一种晶体管型号，它表示这是一种双极型晶体管。在这个型号中，2代表两个引脚，c表示电容器，w表示功率，7则是一个序列号，用于区分不同类型的晶体管。
2、CW7是电子管，极性有阴极、屏极、栅极、板极和加热丝极。2CW7是一款电子管，具有7个引脚。3个引脚是阴极，用于发射电子；另外4个引脚分别是屏极、栅极、板极和加热丝极。
3、：代表电子管的类型，2表示双三极管。C：代表电子管的用途，C表示用于射频放大器。W：代表电子管的构造，W表示电子管采用了微型结构。7：代表电子管的序号，7表示该型号为第7种双三极管。
4、CW7中的C表示该管子是由P型半导体构成的，W表示该管是稳压管，7是产品序号。3CK3中的C表示该管是PNP高频三极管，K表示该管是开关三极管，后面的3是产品序号。上述的管子现在已很少使用了。其各个参数性能都很一般。
5、X代表低频小功率，31是序号；②2CW77。硅稳压二极管，2代表二极管，C代表N型硅材料，W代表稳压管，77是序号；③3CG14。硅PNP高频小功率三极管，3代表三极管，C代表PNP型硅管，G代表高频小功率，14是序号。
6、CW51型稳压管的Vzmin为0V，Vzmax则为6V。2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18Ω；工作电流为10mA时，Rz为8Ω；为20mA时，Rz为2Ω；20mA则基本维持此数值。
SE碳晶电子管有何特性?
1、晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。
2、在音响效果上，SE电子管放大器具有声音自然、丰富、温暖等特点。SE放大器中的转换管既可以是电子管直线放大电路，也可以是晶体管。
3、电子流减小，阴极发射性能下降。电子流减小：低温会导致电子管中电子的热运动减弱，电子流会相应减小。阴极发射性能下降：低温使阴极的发射性能变差，导致电子发射能力减弱。
4、半导体的特征：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。
电子管和晶体管的区别有哪些?
1、电子管和晶体管区别：工作原理不同、应用不同。工作原理不同 电子管是一种真空器件，它通过控制电流流动来放大电压。电子管的一个电极被称为栅极，另外两个电极分别被称为阳极和阴极。
2、电子管与晶体管的外形设计各不同 元器件生产厂家生产了许多不同类别的电子管与晶体管。
3、体积差别，工作原理不同。体积差别晶体管的体积要比电子管小很多。工作原理不同，晶体管是电流控制元件，是以基极电流控制集电极电流，而电子管是电压控制元件，栅极电压控制阴极发射电子的多少。
电子管稳压极性接反会怎样?
1、稳压管接反就是正向导通，只有0.7V左右，那么串联稳压输出就接近0V。量稳压管电压就可以查出。
2、稳压二极管接反了，就相当于一个普通二极管正向接法，原来的稳压值，变成了0.7V左右。一般不会损坏器件，只是由于电压太低了，电路无法工作。
3、二极管反向达到一定电压就击穿损坏，而稳压管反向电压到稳压值之后，电流增大极快，电流是通过整个pn结面，故不产生局部过热，计算稳压电阻来限制它不达到损坏电流，这是它的制造工艺决定的。
4、电子管的种类 （一）按用途分类 电子管按其用途的不同可分为电压放大管、功率大管、充气管、闸流管、引燃管、混频或变频管、整流管、振荡管、检波管、调谐指过管、稳压管等。
场效应管的极性判别
场效应管的管脚排列规律是这样的：带字的一面面对自己，从左到右依次为：G极（栅极），D极（漏极），S极（源极）。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
）P沟道结型场效应管可以当作NPN型晶体管来测量。
则1为D，2为S；反之若后者增大多，则2为D，1为S。实际上结型场效应管的D和S是可以颠倒使用的，由于D极面积大些，承受的功率大些。随便找一个J型管都可以代替3DJ6F。告诉你，我有30年电子教学经验。
判断结型场效应管的好坏如下：先用MF10型万用表R×100 kfl挡（内置有15 V电池），把黑表笔接栅极(G)，红表笔接源极(S)。给栅一源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。
从极性上分：（双极型三极管）有PNP和NPN三极管。（场效应管）有N沟道和P沟道场效应管。从功率容量上分：可分为小功率管和大功率管。从工作频率上分：可分为低频管和高频管。
IRF630的基本参数
IRF630是MOS场效应管， 参数：N沟、 200V、 9A 、75W ，IRF644是MOS场效应管，参数：N沟 、250V、 14A 、125W 。从以上两者参数可知：在要求不高的电路上，两者还是可以互换着用，如果要求高的电路，那可就要注意了。
IRF630的参数是：N沟 、200V 、9A、 75W。代换型号是：RRF230、 IRF630R 、2N6758JTX、 2N7120 、2N7242。
IRF630B可以用IRF630N来替换。IRF630B是N型场效应管，其参数为Vdds=200v，Id=9A，功率P=72w。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管。