光耦驱动mos管（光耦驱动mos管驱动电机原理图）

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它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。PWM信号反相。

不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。

光耦驱动mos管（光耦驱动mos管驱动电机原理图）

1、三极管输出类型的光耦；高速输出类型的光耦；逻辑IC输出类型的光耦；可控硅输出类型的光耦；继电器输出类型的光耦光耦是由三部分组成，就是“光的发射、光的接收及信号放大。

2、单片机 PWM 信号输出控制大功率LED 灯的亮度，一般 1W 的 LED 灯电流大约在 300 mA 左右，三极管功率要大一些，或者可以用 MOSFET 管。

3、当PWM输入为高电平时，光耦未导通，根据电阻的分压，输出端电压接近12V，此时NMOS管的UG大于开启电压，NMOS管导通，RDS极小，所以加热片上的压降很大，电热片加热。

4、用光耦隔离后接继电器输出是控制高压大型电路的方法，可靠性当然更高。当然，可靠性最高的一定是三极管、光耦、继电器等一起上（这不废话么）。但它们的成本也是逐渐提高的，所以杀鸡还是不要用牛刀。

5、比较器输出低电平，封锁PWM驱动信号，关闭电源。比较器输入极性稍加变动，亦可用高电平封锁PWM信号。这种缺相保护电路采用光耦隔离强电，安全可靠，RPRP2用于调节缺相保护动作阈值。

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

电路逻辑有问题。P沟道FET管必须加正电压才能截止，而你这个电路的正电压必须由导通的FET供应，如果管子截止了，24V电源就不再存在，管子就会重新导通………最后维持在半通不通状态。如果改用独立电源控制它，问题就能解决。

由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。

这个mos管是P沟道的。光耦不通时，mos管G端电压等于高电位，截止。当光偶导通时，mosG端电压降低，mos管导通。DOUT3和地之间应该有负载，比如继电器什么的。

如果电阻很小，就是mos的ds击穿了，换一个mos管试一试，如果是np结电压在0.7v左右，那可能是选了个pmos带反向保护的。

1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

2、光耦隔离与mos驱动的区别在隔离方式。光耦隔离驱动为电磁隔离，采用脉冲变压器实现电路的电磁隔离，是一种电路简单可靠，又具有电气隔离作用的电路。mos驱动是光电隔离，受自身参数的影响，频率不能做的很高。

3、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

4、最好是用大功率的三极管（非达林顿的），其次是N-MOSFET，达林顿的一些效应比较特殊，控制起来比前两者都麻烦。如果可以，不要用PNP管或者P-MOSFET，这些管子的成本高，控制比较麻烦，性价比很低，不如NPN和N-MOSFET。