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mos管如何做防反接电路?工作原理是什么呢
1、MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。
2、最简单的办法是在DS之间反接一个开关二极管，负极朝D，正极对S。
3、如果电池接反则VBAT为负压，三极管导通导致MOS管Vgs电压很低，MOS管截止起到反接保护的作用。
4、MOS管的工作原理可以分为三个阶段：截止区、线性区和饱和区。在截止区，栅极电压较低，无法形成足够的电场，半导体中的载流子浓度很低，电路中的电流非常小。
MOS管主要参数及使用注意事项
1、它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右)，还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(5A～100A)、输出功率高(1～250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
2、对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。
3、·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
4、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
多个mos管并联怎样防止一个烧坏影响其他的
多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。
mos并联要放在同一面原因如下：减少电阻：MOS晶体管有源区、漏极区和源极区，如果不在同一面放置，就需要通过导线连接，这样会增加连接线的电阻，影响电路的性能。
性能完全相同的MOSFET是可以并联的，实际上一只大功率MOSFET就是由成千上万个管芯并联而成的。但是如果各个管芯的性能不一致，那就容易出问题；这时可分别适当串联一个电阻后，再并联，可适当防止某个管芯的烧坏。
所以R1-4在能够防止各个MOS管的寄生振荡的情况下尽量小到可以满足开关速度。关于R5-R8的栅极下拉电阻，主要作用是在驱动IC损坏开路的情况下可以防止MOS管的误导通。
直流电源防反接电路设计
通常情况，直流电源防反接保护电路最简单节省成本的方式就是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护，如下图所示：这种方式简单可靠，成本低，但是不适合低电压和大电流。
直流电压输入端怎样才能防止反接？ 在直流电压输入端。串联一个二极管（电流大于负载的电流，电压大于直流输入电压）。接法：二极管的负极接到直流电压输入端的正极。
根据你直流电源的大小反接一个普通整流二极管在输出端，注意如果电流大，二极管需要加装散热器散热。比如你的直流电源是30A，你就配一个50A的二极管，需要留有余量。 http：// 更多知识登陆电源导航。
大概原理是这样，这是集成运放构成的反电压保护电路，不反接第一个集成运放输出为U-＜U+＝Uo＝+UoM高电平，对应的三极管导通，第二个集成运放U+＜U-＝Uo＝-UoM低电平对应的Q1导通，反接侧输出状态跟上面相反。
呵呵，这个简单，用一个24V继电器，在它的吸合线圈上串联一个二极管。接通电源后先给继电器供电，因继电器上串有二极管只有正向才会吸合，吸合后再给音响供电。接反后继电器不会吸合，也就不会给音响供电。
龙腾中高压mos管
还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。
MOS管：管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
相对来说，增强型MOS管可能更“容易”控制一些，它只需要正向电压就能导通、不需要反向电压也能够较为可靠地关断，接口兼容绝大部分的数字电路，所以看起来应用得更多一些。