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电源芯片选型
1、电源芯片如何选型如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率，最重要的是成本低。
2、根据输出功率（输出电压、输出电流），可以计算出原边峰值电流，再以这个数值的2倍以上选择合适的MOS，再根据这个MOS的G需要的电压、电流，来选择有对应输出能力的开关芯片。
3、可以用LN2351的芯片，电流不大就直接升压，输出大约有200MA。需要大电流时外扩MOS。需要注意的是，如果用芯片，BL8505三端升压稳压IC，该IC最低工作电压仅0V。输出电压范围5~0V，步进0.1V。
4、L298N芯片配有双H桥电机驱动器，每个H桥可提供2A电流，电源部分的电源电压范围为5-48v，逻辑部分为5v电源，并接受5vTTL电平。通常情况下，电源部分的电压应大于6V，否则芯片可能无法正常工作。
5、SM220X系列是外驱MOS的线性恒流驱动芯片（4OOO 336 5I8），适用于200Vac~240Vac 或110Vac~130Vac 输入，支持PWM调光，或者支持墙壁开关调光或调色等多种方案。
6、大参数确定合适的电源模块 效率：在全球提倡高效节能的时代，效率是选型的重要因素，它可以在电源转换的过程中减少能源损耗，减少热处理问题并可增加模块寿命，所以在效率的选型上，是愈高愈好。
反激开关电源设计中,输入级两个接大地的Y2电容如何选择?为什么在初级...
1、你的开关电源应该是隔离式电源，在初级和次级上加电容是为了给次级的共模电流提供一个回路到初级，减少共模电流对输出的影响，因此这个电容称为Y电容。
2、①、关于以上初、次级使用两个Y电容串联的原因是： 柳制共模高频干扰信号必须用两只Y电容，因为相线和零线上都有高频干扰信号。
3、大电容是退耦电容，即相当于给下级IC提供了一个电荷水池，大电容电压不突变，所以，如果下级IC的IO口转换剧烈，需要大电流时，从退耦电容中提取电流，不会拉低开关电源电压，从这个意义讲，大电容免除下级IC对电源的影响。
4、有两种接法：初级310和次级地；初级地和次级地。都是为了EMI，根据实际调节。 一般可选2nF的。
5、Y电容分为Y1电容和Y2电容，Y1属于双绝缘Y电容，用于跨接一二次侧.Y2则属于基本单绝缘Y电容，用于跨接一次侧对保护大地即FG线。
6、初级地和次级地之间加一个 Y 电容，可以在变压器的次级地与大地间建立一个泄放通道，开关噪声的高次谐波通 过这个通道泄放到大地，从而避免通过供电线路辐射出去，降低开关电源的辐射骚扰。
在反激式开关电源中如何选择M0S管电流大小
则控制MOS管导通输出电流。参考电压可以来自于采样电阻，也就是在NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地，这个电阻做电流采样，当电流流过电阻后会形成电压，把它放大处理后做参考。
单端反激的开关电源的开关管的反向耐压值应该高于整流滤波后电压的4倍！像单端反激式电源输出功率一般都在100W以下，我个人建议你使用MOS管作为开关管，PWM模式控制。
军工级芯片：一般范围为-55℃至+150℃；要根据产品的使用场合选择合适的芯片 根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
先确定反射电压，再用反射电压除以变比就是变压器的输出电压，整流滤波后就靠TL431控制输出电压了。电流就要看你做的电源功率有多大了。
测试耐压用示波器的高压探头测试。具体测试MOS的D-S（漏极接+，源极接GND），把示波器调到直流档，看最大值和峰峰值（这两者中的最大值需满足要求）。
电流一样可以反馈到初级用PWM来控制的。当然后直接在做限流电路来控制电流，这样子成本就相对比较高而已，一般是不得已而为之的。
在反激开关电源中,X电容怎样选择?
电容大小理论上说电源开关用电容越大越好。电容的体积在安装范围内。容量越大，开关效果越好，体积也越大。选取原则开关电容的选取原则是：C≥5T/R，其中：C为开关电容，单位为UF；T为频率，单位为Hz，R为负载电阻，单位为Ω。
看开关电源输入电流，一般来说，X电容和滤波器组成俗称π型滤波电路要求是配合适当。
x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。
X电容Y电容都是安全电容，区别是X电容接在输入线两端用来消除差模干扰，Y电容接在输入线和地线之间，用来消除共模干扰。X电容---金属薄膜电容器；通常，X电容多选用耐纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容。
泄放电阻好像也没有太严格的大小规定，电阻大一些，泄放慢一点，电阻小一些，泄放快一些。当然，不能过小，太小的话，对电容特性有影响，相当于电容的漏电。太大，则泄放太慢，不利于安全。