本文目录一览：
igbt模块结温变化会影响哪些因素
1、温度上升对IGBT参数的影响 温度上升包含两个意思：一是IGBT中的电磁场能量转化为热能，主要由于器件中的电阻热效应；一是器件发热与外部冷却之间的相互作用，发生的热量如果不能及时散发出去，即散发能力不够，则使温度上升。
2、其次，电磁炉IGBT模块的散热系统和降温系统是否正常工作也是影响模块寿命的重要因素。如果散热不良或者降温系统不到位，就会引起IGBT模块过热，导致损坏。另外，使用的IGBT模块质量也会影响其使用寿命。
3、这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。
4、由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：——IGBT栅极与发射极之间的电压；——IGBT集电极与发射极之间的电压；——流过IGBT集电极－发射极的电流；——IGBT的结温。
5、IGBT可以理解为三极管的组合，和三极管的道理是一样滴，只是性能更强。
6、死区变窄死区的宽窄主要取决于IGBT管的关断时间。影响判断时间的主要因素有：环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。
电源芯片选型
电源芯片如何选型如果输入电压和输出电压很接近，最好是选用LDO稳压器，可达到很高的效率，最重要的是成本低。
根据输出功率（输出电压、输出电流），可以计算出原边峰值电流，再以这个数值的2倍以上选择合适的MOS，再根据这个MOS的G需要的电压、电流，来选择有对应输出能力的开关芯片。
可以用LN2351的芯片，电流不大就直接升压，输出大约有200MA。需要大电流时外扩MOS。需要注意的是，如果用芯片，BL8505三端升压稳压IC，该IC最低工作电压仅0V。输出电压范围5~0V，步进0.1V。
三极管参数中的结温是指的什么
一般，硅三极管的结温（简单说就是管芯温度）都可达150摄氏度。但应该明白，管芯与表面是有温差的，温差大小与实际功耗、管子结构、环境温度、散热设计等有关。一般，硅三极管表温不应高于90摄氏度，最宜不高于60摄氏度。
Tj是指工作温度范围，存储温度范围，（PN）结温（即管芯内部温度）范围；是衡量芯片受环境温度影响的参数 ，你问的就是它的PN结温是150度。
三极管具有热敏特性，其Ube会随着PN结温度温度的升高而下降，大约-5～3mV/℃。但是，用三极管的PN结来测温，既不准确、很难标定，线性也不好。三极管是作为有源放大元件来使用的。
ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
单位：摄氏度）Ta - 环境温度（单位：摄氏度）VBE - 三极管基结电压（单位：伏特）VBE(25) - 当三极管的温度为25℃时的基结电压（单位：伏特）TC - VBE vs T曲线斜率，这个值可以从三极管的手册中查找到。