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常见的功率半导体器件及主要特点是什么
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：特点：有非常高的输入阻抗和较快的开关速率。它们是现代电源电子中最常用的功率半导体器件之一，广泛应用在开关电源、逆变器等电路中。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT的主要特点： 高电压和电流能力：IGBT可承受高电压和电流，使其适用于高功率应用。 低导通压降：IGBT在导通状态时的压降较低，从而减少功耗和热量产生。
IGBT的主要特点和作用包括： 高电压能力：IGBT具有较高的电压承受能力，通常可用于高电压电力电子应用，如逆变器和变频器。 高电流承受能力：IGBT能够承受相当大的电流，使其适用于高功率应用，如电机控制和电力传输。
电压和电流承受能力：- 功率半导体器件的主要特点是能够承受高电压和高电流。它们通常设计用于高功率应用，如电力传输、电动汽车控制和工业设备。这些器件能够处理数十伏特至数千伏特的电压和几安培到几百安培的电流。
功率半导体器件是电子设备中的一类关键组件，用于控制和管理电能。它们可以根据不同的特性和应用分为几个主要类别： 绝缘栅控型门极可控晶闸管 (IGCT)：IGCT是一种高电压、高电流应用中常用的功率半导体器件。
常见电子元器件实物图?
1、④ 晶闸管：晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。
2、图1 一般指高压二极管。图2汽车发电机用二极管。图3，5玻璃封装小电流二极管。图4 砷化镓红外发光二极管。图6 激光二极管。图7 双二极管。图8 大电流二极管模块。图9 大电流二极管。
3、上面图是P521就是东芝的TLP521，是晶体管输出的通用光耦。单个封装的四个脚4分别是A、K、E、C。
4、左边一个圆的是电解电容，画阴影的一边表示负极，右边一个是二极管，画阴影的一边表示阴极。这是在印制板上很多人画板子的时候习惯的画法。
5、淡粉电阻。色环电感。LED。二极管。1三极管。1按钮。1滑动单刀双掷开关 。1双排插针。1干簧管继电器。1DB9接头。1电子管。1网络变压器。1纽扣电池。驻极体MIC。
6、主板的开机电路主要由主板ATX电源插座、芯片组(双芯片架构为南桥芯片)、前端控制面板接脚、I/O芯片以及电阻器、电容器、二极管、晶体管、稳压器芯片等电子元器件和相关硬件设备组成。如图4-1所示为主板开机电路实物图。
充电电路原理图解释
1、极性识别电路。此部分由R12和LEDl(TEST红色极性指示灯)构成。保护电路由Q3和R7等元件构成。假设被充电池极性接反了。LED1就正偏点亮，警告应切换开关K，才能正常充电。
2、电容是一种以电场形式储存能量的无源器件。在有需要的时候，电容能够把储存的能量释出至电路。电容由两块导电的平行板构成，在板之间填充上绝缘物质或介电物质。充电过程 若电容与直流电源相接，见图3，电路中有电流流通。
3、电容充放电原理图如下：电容充放电是基础电路中的一个重要概念，它描述了电容器在不同时间内的电荷和电压变化情况。
4、电容器充电原理 当电容器与直流电压源相连时，电容器就会被充电，如图 1 所示。图 1a) 中的电容器未被充电，所以极板A和极板B上具有等量的自由电子。
请问各位大神图中的两个电子元器件叫什么?都有什么样功能?这都是在开关...
端和2端为故障检测输入端；4端：接正电源+15VDC；5端：驱动信号输出端；6端：接负电源-10VDC左右；8端：故障信号输出；13端和14端：驱动信号输入端，主要接收控制芯片送出的SPWM信号。
二极管起单向导电作用。三极管在模拟电路中起放大作用，在数字电路中起开关作用。
电阻：是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。
电子元器件是指用于构成电子电路的各种器件，包括被动元件和主动元件两类。被动元件是指在电路中不具有放大、开关等主动功能的元件，主要包括： 电阻器：用于限制电流、分压、匹配阻抗等。