mos管噪声（mos管噪声系数怎么仿）

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应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。

应该是脉冲在震荡。需要你说的更清楚一点，比如如何驱动，MOS的负载是什么等。。

你可以查一下mos管的开关频率极限。看看是否PWM开关周期与之接近了。希望能够帮助你。有异议即使通知我。也有可能是你使用含隔离变压器的器件发出的声音。

贴上电路图哦方波幅度很小，估计是单片机输出的驱动能力太弱，需要合适的上拉电阻提高高电平输出时的电流。P0 口驱动需要上拉电阻，建议使用 510 欧姆的上拉电阻，确保隔离和驱动能有足够的电流。

简单来讲：电机控制中，电机的功率输出，转速控制就是需要调整pwm频率和占空比实现的，在电机回路中做电子开关，用单片机输出的pwm控制其开关的导通时间与导通频率。

是P沟的好，这样控制可以共地，处理起来方便；IRF5305可以，不过却有20A电流的话，建议两个并一起使用，那样安全多了。

mos管噪声（mos管噪声系数怎么仿）

1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

2、栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

3、mos管V(gs)大于夹断电压Vt时V(ds)之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。

4、MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate 场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。

5、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

例如，一个典型的晶体管型号可能是“IRF740B”，其中爱尔兰“表示制造商(国际整流器)，740“表示额定电压(740伏特)，“B”表示这是N沟道晶体管。

选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

导通阻抗是指MOS管处于导通状态时源极和漏极之间的电阻，这个数值越小导通效果越好；开启电压是指增强型场效应管加在栅极和源极之间的控制电压达到使之开始导通的电压值。

原因是热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的，可通过增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。

升压电路mos管过热噪声大的原因：电流太高，没有做好足够的散热设计，导致过热噪声大，MOS管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热，变得过热噪声大。

根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

MOS管优点：电压控制；控制方式比较方便。体积小，重量轻，寿命长。输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功耗低。缺点：熟悉的人比较少；（相比三极管而言）。对静电比较敏感，容易被静电击穿。

优点：MOS管电路体积小，重量轻，寿命长，输入电阻大，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，比三极管省电，电路效率高。控制时采用电压控制，非常方便。

使用MOS管能做到10^8级以上.（2）温度稳定性好，由于场效应管里没有漂移电流，基本不受温度变化的影响。缺点：（1）放大倍数小，一级放大只能做到几倍（可能不到10倍），（2）输入端由于静电感应容易产生击穿。

MOS的其他优点：①制造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。