本文目录一览：
- 1、电磁炉功率管型号
- 2、600V/650V的MOSFET管是些什么型号规格参数品牌?
- 3、MOS管全世界一共有哪些品牌?
- 4、电流大于6A的场效应管型号???
- 5、Is281-4和tlp281-4有什么区别,Mos管ir2502和ao3404有什么区别
电磁炉功率管型号
1、电磁炉功率管型号及参数如下 SGW25N120 - 西门子公司出品，耐压1200V，电流容量25℃时46A，100℃时25A，内部不带阻尼二极管。应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用。
2、N120。九阳股份有限公司（JoyoungCo.，Ltd，简称：九阳）是一家专注于豆浆机和厨房小家电产品的制造企业，成立于2002年7月8日。
3、GT40Q321。截至2023年1月1日，3500W电磁炉常用的带阻尼功率管有一下型号：GT40Q321，FGL40N150D，FGL60N170，G40N150D，3500瓦电磁炉，工作时最大电流15A左右，不能小于16A的功能管。
4、功率管的类型 目前市场上主要有两种类型的电磁炉功率管，分别是IGBT型和MOS型。IGBT型功率管具有耐高压、低导通损耗、高开关速度等优点，适用于高功率电磁炉。
5、奔腾电磁炉型号PIT36上的功率管型号是GT40Q321。
600V/650V的MOSFET管是些什么型号规格参数品牌?
1、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
2、V5A、6A、7A、8A、600V10A的IGBT、12A、14A、600V15A、16A、19A、20A、600V22A、23A、24A、25A的IGBT、台湾HIGHSEMI的IGBT芯片，大陆封装。
3、V MOS管 或者 650V MOS管 海飞乐技术，台湾芯片，质量可靠。
4、V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
5、可以使用参数相当或者更强的场效应管进行代替，具体型号及参数如下：24NM65N——650V 19A 160W 0.16Ω N-MOSFET；21NM60、15NM60、STP21NM60N_08——600V 17A 140W 0.17Ω N-MOSFET。
MOS管全世界一共有哪些品牌?
仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等，但是一些国产MOS管也不错，新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。
首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。
目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi（仙童(飞兆半导体)）、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。
你可以到淘宝上去搜，IRF带头的功率MOS管是最多，最普及的。其他的还有日本的TOSHIBA，东芝，东芝的功率管，结型管方面都做得很不错。其他还有很多，比如NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay等等。
这个问题的范围太广了，做得好的品牌太多了，之前解剖过富信FOSAN他家的MOS管，材料等等用的都是进口好材料，芯片是大芯片、综合整体来说，他家的性价比非常高。
不是杂牌，这是一颗N沟道增强型场效应晶体管，是台产尼克森微电子出品，NIKOS是NIKO-SEM的缩写。下图是这款MOSFET的参数表。
电流大于6A的场效应管型号???
1、你要什么沟道的？6A没有TO-92封的，SOT-89就有。
2、电流大于6A，电压大于200V的场效应管都可以代替。比如6N60、7N80……，用于做电视电源的场应管都可以代。
3、K6A65D场效应管，是N沟道场效应管，耐压=650V、最大电流=6A、最大耗散功率=45W。K2333场效应管，也是N沟道场效应管，耐压=700V、最大电流=6A、最大耗散功率=50W。
Is281-4和tlp281-4有什么区别,Mos管ir2502和ao3404有什么区别
1、is281-4完全可以替代后者，都是4路光耦，也可以相互替代，两者没什么大区别。2502主要参数：20v，2a，3w。3404主要参数：30v，8a，4w。
