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高价格mos管与低价格mos管差异
高压mos管与低压mos管的差异是：耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。
电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
只做规格书对比，IRF7831略占优。当Vgs=5V时，Ron更低。这项指标使得虽然输入电容较大，但Tr、Ton、Tf、Toff、Qg等指标都略好，这能使高频时的能耗较低。
显示器高压板MOS管如何测量?
1、测量20N65-ASEMI高压MOS管的好坏，需要使用万用表或测试仪器进行以下测试：首先，设置万用表或测试仪器的参数，将红表笔连接20N65-ASEMI高压MOS管的引脚并将黑表笔连接到MOS管的电源接地处。
2、用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。
3、N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
4、测量mos管10N65好坏时要注意的几点 在测试mos管时，您需要采取一些预防措施。主要是：必须保证输入电源大于等于MOS管10N65的阈值电压。MOS管的漏极电压和栅极电压不能超过击穿电压。
5、用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。先确定MOS管的引脚： 先对MOS管放电，将三个脚短路即可； 首先找出场效应管的D极（漏极）。
6、档位不变，将G极和D极短接，表笔接法不变，显示的电阻值应该非常小、接近零。如果是这样，表面上看管子是好的。P沟道场效应管，需要将红、黑表笔反过来接，其余步骤相同。
MOS管总发烧?大部分就是这四个原因
1、开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。
2、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。
3、A和B点，这就是两个关键的测试点，基本上反映了开关电源的工作状态和故障所在，导通的时候的尖峰电压和尖峰电流非常大，如果能够将导通的尖峰电压和尖峰电流消除，那么损耗能降一大半，MOS发热的问题就能解决。
4、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。
5、我感觉你的电感选小了，或者频率选低了。电感选小了 电感充电迅速完成，之后管子没有关断导致电感成了直流电阻负载，消耗电能并导致MOS发热。如果频率高的话可以缓解这种状况，但是增加电感量是根本。