本文目录一览：
- 1、CMOS反相器P管的宽长比为什么比N管的大
- 2、门(非门,与门,或门)的结构
- 3、反相器的CMOS反相器
- 4、CMOS反相器的电压传输特性没有看明白?
- 5、为什么倒相器P管宽长比要比N管宽长比大
- 6、mos反相器的什么阻抗接近于无穷大
CMOS反相器P管的宽长比为什么比N管的大
1、因此在设计CMOS反相器版图时，P管的宽长比必须设计得比N管大一些。
2、由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。
3、为了实现与反相器的等时延，在P管和N管长度相等的情况下，需要其管子宽度为INV的两倍。
4、mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
5、cmos反相器的宽长比可选nmos的两倍。根据查询相关资料，为了使得噪声容限达到1/2VDD可选择pmos的宽长比为nmos的两倍。具体设多少则根据要求定了，宽长比大的话寄生电容就大，速度就会慢。
6、而且容易损坏，同样NPN的三极管较PNP三极管也要好多了。究其原因为N沟道输出端的多数载流子是电子，和导线电子如以结合，而P沟道的多数载流子为空穴，和导线电子运动要有一个置换过程，加大了损耗。
门(非门,与门,或门)的结构
1、“与门非门”和“门与非门”都是数字电路中的基本逻辑门，用于将输入信号进行逻辑运算后输出。“与门非门”也称“与非门”，英文缩写为NAND门。该门具有两个或多个输入端和一个输出端。
2、下面都是CMOS基础门电路，具体的CMOS晶体管结构不细说，下面是电路图：或门：与门：非门最简单：以上图片来源于维基百科。上面或和与电路有点复杂，还有更简单的电路，只不过在笔记里，不好拍照上传。
3、非门（NOT）是一个输出为反向的逻辑门电路。当输入为“1”时，输出为“0”；当输入为“0”时，输出为“1”。三种逻辑门电路都有其符号图示。
反相器的CMOS反相器
1、由于绝缘层，因此驱动一个CMOS反相器的驱动电流几乎为0，理论上一个CMOS反相器可以驱动无数个门(扇出无穷大)。但是增加扇出也会增大延时，使得电路的瞬态响应变差。
2、可见，CMOS反相器实现了逻辑非的功能.CMOS反相器的主要特性？CMOS反相器的电压传输特性如图7-2所示。
3、减小cmos反相器静态功耗的措施如下：采用低电压器件可以显著降低功耗。例如，使用CMOS工艺的反相器可以采用低电压的VDD，从而降低功耗。反相器的功耗还与开关频率有关，因此降低开关频率可以降低功耗。
CMOS反相器的电压传输特性没有看明白?
1、TTL输出级晶体管的集电极电阻形成双管推挽结构，两管轮流转上管，下管截止，输出高电平，反之，输出低。
2、不是所有反相器都有再生特性，上图中右半部分是VTC特性的反相器是没有再生特性。稳定性 对于PMOS和NMOS，即使器件工艺有差别，但是工艺好坏对CMOS反相器功能影响较小，这个也是静态CMOS门可以普遍应用的一个缘由。
3、CMOS反相器的电压传输特性如图7-2所示。CMOS 反相器的电流传输特性7-3图 7-2 CMOS反相器的电压传输特性在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。
4、这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻相对较低。
5、由图可知，工作点决定了VO=VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值 。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。 由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。
6、ls04和74hc04传输特性曲线区别：74lS04是TTL电路的六反相器，工作电源电压5V，74HC04是CMOS电路的六反相器，工作电源电压是2V到6V。
为什么倒相器P管宽长比要比N管宽长比大
与电子相比，空穴载流子体积大速度慢，也就相当于P管电阻率较大。P管与N管的沟道长度都是相同的，为了使P管的总电阻与N管的电阻基本相等，就必须加大P管的沟道宽度。
你好！pmos 迁移率低 如果对你有帮助，望采纳。
为了实现与反相器的等时延，在P管和N管长度相等的情况下，需要其管子宽度为INV的两倍。
为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？(仕兰微电子) 2用mos管搭出一个二输入与非门。
六角反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在摸拟电路比如说音频放大时钟振荡器等。标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大，只能做辅助功能。
由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。
mos反相器的什么阻抗接近于无穷大
1、因此CMOS反相器具有低输出阻抗。对噪声和干扰不敏感。输出电阻大约在kΩ。 · 极高输入电阻。输入端晶体管栅极和电路通路之间存在绝缘层。
2、CMOS反相器的电压传输特性如图7-2所示。CMOS 反相器的电流传输特性7-3图 7-2 CMOS反相器的电压传输特性在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。
3、CMOS 门电路的输入阻抗很高，如果输入端悬空，它会像天线一样接收周围的噪声信号。这会使得CMOS门的输入信号处于不确定状态，可能导致门电路的输出结果不可预知。