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mos管中的寄生二极管都存在吗
不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。
这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。
寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。
mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
是 在常用的MOS管的Datasheet中原理图上，常见D和S极之间有一个二极管，该二极管称为寄生二极管。该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。
这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。
怎么测MOS管的寄生电容
1、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
2、原因包括以下几点。测量设备不够敏感或测量过程中干扰较大，无法准确测量出来。MOS管损坏，门电容受到损害。MOS管的制造工艺和结构对门电容的性能有较大影响，致使不同型号MOS管门电容相差较大。
3、等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。
4、准备工具：被测电容一个、万用表一个。将万用表打到标有F的电容挡上。将被测电容两极短接进行放电。将万用表表笔与电容两端连接。读取测量数值。与被测电容标称值进行比较，就可以知道大小了。
5、MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示。图2中各部分的物理意义为：（1）LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。
如何消除mos管寄生电容
寄生日电容，完全消除不可能。只能尽可能减少影响。例如线圈匝间电容，就可以用间绕，蜂房式绕法来降低寄生电容。
电容公式C=S/（4PI*K/*d）还需乘以一个常数。d为距离。即距离越大。电容越小。所以。拉开绕组之间的距离或者增加屏蔽可减少寄生电容。但这里存在一个矛盾就是。绕组之间距离太远的话。耦合性就会变差。
只能减少寄生电容的影响，无法彻底消除，减少寄生电容影响的方法是增加匝间距离，如间绕。
寄生的东西无法克服，只能从线路设计上去克服。利用倒是有的，最简单就是mos电容，利用mos管栅电容作为一个电容来使用。
首先用新型利用多晶硅层作为MOS管的栅极多晶硅结构。其次形成栅介质和T形的自对准的金属或金属/多晶硅栅。最后多晶硅即可降低衬底寄生电阻。