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mos管g是什么极,为什么?
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。
各种MOS管，都是具有栅极（Gate，简称G）、漏极（Drain，简称D）、源极（Source，简称S）三个电极。
G D S分别是栅极 漏极 源极，通过GS之间的电压，控制DS之间是否导通，建议百度文库 mos，有详细的文档。
G是栅极 S是源极 D是漏极 当G极有高电平时，电压要大于Mos管开通电压，此时S极和D极不导通，为开路状态，VCC断开不通电，当G极为低电平时，没有电压或为负电压，Mos是常通状态，此时S极和D极导通，VCC通电。
MOS管的三个极是什么?
1、MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
2、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
3、S（Source，源极）：这是MOSFET的源极，通常是电流进入MOSFET的地方。 D（Drain，漏极）：这是MOSFET的漏极，通常是电流离开MOSFET的地方。栅极控制了源极和漏极之间的通道的导电性。
mos管三个极分别是什么极?
MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
S（Source，源极）：这是MOSFET的源极，通常是电流进入MOSFET的地方。 D（Drain，漏极）：这是MOSFET的漏极，通常是电流离开MOSFET的地方。栅极控制了源极和漏极之间的通道的导电性。
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）通常具有三个引脚，它们是栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E分成NPN和PNP两种MOS管的源source和漏drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端。
MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?
1、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
2、这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。
3、G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。
mos管的三个极
MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。
MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
DC G B SE 前面是MOS，后面是三极管。