本文目录一览：
- 1、开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低
- 2、半桥电路与全桥电路的区别
- 3、怎么用9014三极管做一个zvs电路
- 4、振荡电路能不能作为mos管的驱动电路
- 5、MOSFET需要并联RC吸收电路吗
- 6、用mos管设计一个rc振荡电路,振荡频率怎么算
开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低
1、那种阻尼振荡只能减小，无法消除的。软开关技术也只能减很小，振荡还是有的。
2、缩短电缆长度。在设计mos管线路时，应尽量减少变频器与电动机之间电缆的长度，mos管关断电压可以通过缩短电缆长度来降低两者之间的暂态波过程的振荡周期，以此来降低电动机两端的过电压。
3、若适当增大器件的开通时间，即可在很大程度上减小振荡幅值，因此考虑在驱动芯片与MOSFET栅极间加设缓冲电路，即人为串接驱动电阻，在MOSFET栅源极间并联电容以延长栅极电容的充电时间，降低电压变化率。
4、这是正常的，产生原因：电路中的寄生电感和寄生电容引起的谐振。解决办法，可以通过在两端增加一个RC或RCD吸收电路，至于电阻电容的选取你可以到网上找些相关设计资料。通过增加吸收电路可以减小振荡，但不可完全消除。
5、开关电源的散热设计MOS管导通时有一定的压降，也即器件有一定的损耗，它将引起芯片的温升，但是器件的发热情况与其耐热能力和散热条件有关。由此，器件功耗有一定的容限。
半桥电路与全桥电路的区别
1、从电路图上可以很方便的看出一点明显的区别，就是二极管的数量不同。半桥式电路的二极管数量少，成本也就相应的低。全桥式电路有 4 只二极管。半桥和全桥电路的适用场合也不相同。
2、总体而言，惠斯通相较于其他两者具有简单、低成本等优势；而半桥则更加灵活方便且效率高；全桥则应用范围更广泛并且能够满足复杂需求但同时也存在着设计难度大以及损耗等问题。
3、半桥式 电路的结构类似于全桥式，只是把其中的两只开关管（TT4）换成了两只等值大电容CC2。
怎么用9014三极管做一个zvs电路
这个是多谐振荡电路，推挽式输出。下边线圈是反馈。
电路如图，把三极管8050换成9014即可。RB用150K电位器代替可以调整阻值，RC=3K，三极管放大倍数取50-100都行。
此功放电路如图所示，输入极（9014）的基极工作电压等于两输出极三极管的中点电压，一般为电源电压的一半，这个电压的稳定由输出三极管的基极的两个二极管控制。3欧姆电阻串联在输出三极管的发射极上，以稳定偏流。
移相全桥拓扑在隔离型DC-DC电源中应用十分广泛，其电路构成与工作原理主要为以下： 拓扑构成 移相全桥拓扑采用移相控制方式，利用功率器件的结电容与谐振电感的谐振实现恒频软开关。
如图：我有一个自己摸索出来的比较简单的计算方法，由于基极电流很小可以不计，因此基极的电压等于RA和RB的分压，由于三极管的射极跟随原理，发射极的电压＝基极电压－0.6V。
一个5针的线圈变压器，把三根针的一端接zvs，两根针的那一端是输出，输出电压是看变压器参数。逆变器的原理如同变压器。输出的电压大小与线圈绕组的多少、输入的电流、电压成正比例关系。
振荡电路能不能作为mos管的驱动电路
1、首先，栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值。其次，驱动电路结构尽量简单，最好有隔离。最后，电阻限流，然后接入到MOS管的G极即可。
2、这其中就会用到电容，电阻，三极管等器件，如果led功率小，那么直接连接就行了，如果功率大，那么就要加驱动管，可以是三极管，也可以使mos管。基本大概就这意思。
3、振荡电路是产生信号也就是把直流电源转换成交流或其变化的电信号。驱动电路只是把前级送来的信号放大去驱动后级电路。逆变器中肯定有这两种电路。
4、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
5、ir2112在逆变器中起什么作用 作为前级放大，MOS功率管的驱动电路。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号，而输出电压一般多为220V，当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。
6、MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。
MOSFET需要并联RC吸收电路吗
在没有RC阻容吸收时，有一条反压很高波形.加了RC后，吸收或抑制了下反压增加因素，使器件电压击穿损坏减少。
就是一个基本的RC吸收电路，主要是为了解决MOSFET开关的尖峰问题的。电阻R的最重要作用是产生阻尼，吸收电压尖峰的谐振能量，是功率器件。电容C的作用并不是电压吸收，而是为R阻尼提供能量通道。
该操作的作用是限制电路电压。晶闸管两端并联RC电路的主要作用是限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行。晶闸管有一个重要的特性参数：断态电压临界上升率。如果电压上升率过大，会在无门极信号的情况下开通。
实际应用中常对功率MOSFET的栅极过电压与漏源极过电压进行保护，如RC吸收浪涌电压，在感性负载上并联二极管VD。MOSFET的过电流保护由电流互感器CT检测过电流，从而切断MOSFET的栅极信号，也可用电阻或霍尔元件替代CT。
双向晶闸管并联此电容和电阻用在这里，目的是抑制或者说降低晶闸管两端的电压上升率。阻容，它可有效抑制上电和断开时瞬间振荡和峰流电流，使过电压的波形变缓，陡度和幅值降低，再加上电阻的阻尼作用，使高频振荡迅速衰减。
用mos管设计一个rc振荡电路,振荡频率怎么算
rc振荡电路频率计算公式是：rc=rf*gh101。电路概述 由金属导线和电气、电子部件组成的导电回路，称为电路。在电路输入端加上电源使输入端产生电势差，电路连通时即可工作。
看是什么样的振荡电路，简单RC振荡电路的频率为1/2πRC Hz，其中R的单位是Ω，C的单位是F。
振荡周期计算公式是：振荡周期=1/晶振频率。其详细内容如下：定义：振荡周期是指物理或化学变化过程中，重复出现的一种周期性现象。
振荡电路的周期和频率公式分别为：T=2Π（Lc）**1/2，f=1/T。在LC电路中，L代表电感，单位：亨利（H），C代表电容，单位：法拉（F）。
大致振荡周期（数量级）可以用RC时间常数估算：T=C（R1+R2），上面的RC参数的振荡周期大体在数十毫秒，即频率在几十Hz。
． 定性分析 RC串并联网络如图所示。为了讨论方便，假定输入电压 是正弦波信号电压，其频率可变，而幅值保持恒定。如频率足够低时， ，此时，选频网络可近似地用RC高通电路表示。