本文目录一览：
- 1、请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺...
- 2、P沟道增强型场效应管导通条件
- 3、N沟道MOSFET与P沟道MOSFET有什么区别
- 4、MOS管的导通条件是什么?
- 5、如何正确选择MOS管
- 6、P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通...
请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺...
MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。
pmos和nmos的区别是mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
P沟道增强型场效应管导通条件
P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位越低于漏极电位，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。
场效应管的导通条件为VGS的电压，而非G极电压，如果用P沟道的MOS，S级需要接比G极高的电压。
P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
P沟道MOS管导通的条件是在栅极G加触发电压，使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中，当栅源电压差大于阈值电压时（即VGSVth），会形成一个由正负载流组成的导通路径，使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
N沟道MOSFET与P沟道MOSFET有什么区别
1、N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
2、MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
3、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
4、MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管 ，N沟道耗尽型 管；P沟道增强型管 、P沟道耗尽型管。
5、MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
MOS管的导通条件是什么?
1、对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。
2、PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
3、只要GS间电压够大，就可以导通了，截止的话就是倒过来，GS间电压够小就截止。
4、NMOS（ AO4614 ）的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
如何正确选择MOS管
电容越大、电阻越小吸收越好、尖峰越小，同时也会引起效率下降。峰峰值和过电压的尖峰不是一回事。
电流和电压需求：根据点焊机的功率要求，确定所需的电流和电压，mos管的最大承载电流和电压是其最重要的参数之一。
首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。然后，再确定输出电流大小，根据电流大小，尽可能选择低内阻MOS管，这意味着其允许输出电流越大，发热越小。
漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通...
1、场效应管按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
2、当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
3、可以用作电子开关。MOS管为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，常说的精典是开关作用。去掉这个控制电压经就截止。
4、作用目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。
5、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
6、一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。