本文目录一览：
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
2、栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
3、mos管V(gs)大于夹断电压Vt时V(ds)之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。
4、MOSFET的击穿有哪几种？Source、Drain、Gate 场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。
求解PWM控制MOSFET工作原理
mos管的栅极g比源极s高5v—10v，mos管就可以导通。PWM输出占空比可调的方波，作为驱动输入mos管的栅极g，高电平时栅极电位高与源极5v就导通了；低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断。
因此，MOSFET的工作原理可以简要地概括为：利用栅极对源极和汇极之间通道区域产生的电场控制电流的流动。
MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写。它是一种电子器件，用于控制和放大电流。 MOSFET的基本工作原理如下：MOSFET是由硅晶体制成的晶体管。
PWM控制MOS管,我这样接可以吗
当控制信号为PWM时，所得的输出就是相同的PWM信号，只是峰峰值为其输入的电源电压值。
MOS管不只能够做开关电路，也能够做仿照拓宽，因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。
IRF3205 或IRF4905 等场效应管就可以，我弄这做过驱动电机的H桥电路，不错 这就是三脚的，功率较大。当然也还有其他的。
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
单片机pwm驱动mos管的问题
A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。
有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式 像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。
电压值不够让MOS充分导通。PWM信号高电平是电压值不够让MOS充分导通，工作在饱和区；需要用三极管当做开关，使得控制MOS的高电平电压值接近15V。
响应速度比较快，使用PID的话，响应速度比较慢，导致较大的电流波动，也加重了单片机的负荷，因为经常运行极慢的浮点数。而硬件的PID，则可以考虑其1或2，不必P，I，D都考虑，否则电路设计起来很麻烦，难调试。