mos管24V（mos管24V电源控制电路）

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图2表示电容、MOS管、光电耦合器的连接图，即图1中的A、B、C的连接。其中####4接单片机的四个输出端口。当#1为高电平，#2为低电平时，输入端的两个MOS管导通，电容处于充电状态。

3B可视为一个pwm产生器，输出pwm去控制mosfet的通断，mosfet的通断配合L1做到charge pump 电荷泵升压功能。

这是一个叫“三端稳压器”的集成块。把交流电经变压器降压，再经整流桥整流，大电容滤波后的直流电压输入到这个集成块的输入端，在输出端就可以得到稳定的直流电压供给其它电路。

我的附图中的MOS管是复合管，LNQ_CTL是单片机可以直接控制的；其他的就不用我说了吧；但是你要是用普通的mos管，则需要添加辅助驱动电路了，但是基本的原理是一样。

加一个MOS管是最好的选择，可以用一个P沟道的MOS管，比如IR4435，两块钱搞定，直接用光耦驱动它就可以了。

1、用VTH小于0V 的MOS，或者加图腾把VTH提高8至12V，加大MOS电流，主要看什么原因导致MOS发热。

2、电机输出接原极，电路更改减小1K电阻到27欧姆。连个个10K电阻减小，上边560，下边1K 结束语：实际上这几个原件组合，如果按MOS管的等级来看，TLP521这样构成的驱动电路过于简单，是无法驱动的。内阻太大。

3、经过这样处理后，重新实验，让整个电源正常工作后，加大负载到满负荷工作，MOS管发热始终没有超过50°，应该是比较理想。

4、mos管严重发热大多是驱动不足，工作在放大状态。

mos管24V（mos管24V电源控制电路）

1、这就是mos管的内阻大了，内阻月到升温越高，你是选择什么品牌的mos管啊，有些品牌的mos管内阻做得蛮小的，高压方面比如美国仙童，IR，低压方面的有台湾UTC。

2、图没有，一般切断电源正极用P沟道场效应管，切断电源负极用N沟道场效应管，就不用升压电路了。

3、MOSFET：20元 2KW调压器：280元散热板：80元共计：997元总体架构：串联谐振5KW 锁相环追频ZVS，MOSFET全桥逆变；磁芯变压器两档阻抗变换，水冷散热，市电自耦调压调功，母线过流保护。