mos管炸原因（mos管爆炸）

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内阻过大，温度过高也能损坏。雪崩损坏。如果在漏极源极间外加超出器件额定的电涌电压，而且达到击穿电压根据击穿电流其值不同，并超出一定的能量后就发生损坏。

MOS管损坏主要原因：过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。

过电压：过电压是指输入端电压超过了MOS管和功率电感的额定电压。当输入端电压过高时，MOS管和功率电感可能无法承受电压的冲击，导致损坏。过电流：过电流是指输入端电流超过了MOS管和功率电感的额定电流。

第MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流(超过10mA)时，应串接输入保护电阻。

MOS 损坏主要原因：过流 --- 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压 --- 源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电 --- 静电击穿，CMOS 电路都怕静电；MOS 开关原理（简要）。

1、：设计问题，焊机线路板设计不合理，散热能力差。或偷工减料管子数量不够。导致的炸管。2：组装工艺问题，MOS-FET场效应管与铝散热片之间绝缘没做好。或绝缘层质量太差被击穿引起的炸管。3：MOS-FET管质量问题。

2、根据你的描述几个原因：MOS管质量不好，就是你电源的死区设置过小，你选择的管子余量不足，管子安装工艺有问题，主要是散热不好。有些电路MOS管栅极需要放电电路，是否具有。你查查看。

3、很可能是散热不好温度过高或者是输出过载亦或是输出短路导致的。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号，而输出电压一般多为220V，当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。

mos管炸原因（mos管爆炸）

1、负载短路或过重导致过热炸机、电源内部自激、输入电压过高、空载保护失效、输出保护失效、电源频率过高都会造成炸机。如果是商品机的话内部原件质量问题不太可能。

2、因为所属此MOS管对应供电部分有短路，这样会使场场效应管超负荷工作，从而造成软击穿(即肉眼观察无烧痕)或硬烧毁。例如：中央处理器短路也会造主板MOS管烧掉。有短路保护设计的则可以避免。机箱电源也是同理。

3、原因最大的可能是短路，比如灰尘过多加上潮湿，可能会导致mosfet短路起火。第二种就是单个mosfet的电流通过量太大，超过安全范围，导致其受损起电火花。

4、电流探头的量程不匹配：电流探头的量程要与mos管的ds电流相匹配，否则会导致探头过载或短路，进而导致炸机或烧管子，解决方法是选择合适的电流探头。

5、瞬间电流也可以达到几十A的）。唯一的问题是打开的瞬间，因为输出建立电压需要时间，这段时间虽然也很短，但如果负载短路的情况下MOS也很危险；处理起来也麻烦，各种条件下不容易稳定，我选择拼MOS管的命，死扛。

6、很可能是散热不好温度过高或者是输出过载亦或是输出短路导致的。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号，而输出电压一般多为220V，当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。

用示波器看mos管的开关波形，如果波形不好或出现振荡，就是驱动电路设计有问题造成。波形正常，就是电流太大，散热器散热不够所造成。

如果空载加温也会炸机，就是变压器初级匝数不够，加温后磁芯导磁率下降更易炸。此种情况应增加变压器匝数；如果只有在重负载下才炸，可能是MOS管受热内阻增大，导致发出更多热量烧毁，此种情况应改善散热或用内阻更低的管子。

很有可能是里面的mos管炸掉了，一般mos管炸是因为功率太大瞬间发热量过多就会把封装炸开。一是看看会不是假件（这个很多我就被骗过），二是看看员工哪里有非正常操作，三是分析电路看哪里有有隐患。

目前市场一些廉价的逆变焊机所用材料质量参差不齐，另外制造工艺也有问题，特别是对于用于3相380v的焊机，采用单管mos的可靠性较差，如果管脚之间的防尘，防潮措施不好，很容易导致mos管坏。

驱动不正常。MOS管有问题。检修的时候，你要把整流后给逆变板供电的线拔掉，再检查驱动和控制部分，这样的话不会炸机，避免造成不必要的浪费和损失。

：MOS-FET场效应管爆炸。第三代逆变技术场效应管焊机是由多个场管组成，其中一只爆炸其他全部爆炸。2：单管IGBT绝缘栅极晶体管爆炸。单管IGBT属于第四代逆变，承载电流比MOS管好的多。

控制板驱动型号有问题，导致桥臂直通；场管型号或安装不正确；中频变压器故障；前端整流不好，送到场管的电不是纯粹的直流电压；次级快恢复整流二极管击穿或其他地方有短路。

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

第二个情况是输出的电压太低了。这个问题相对来说比较复杂，有很多情况。

从性价比上考虑：在设计30W以下LED电源时，赛明源电源有些采用内置MOS管方案，因为这种方案已经成熟，散热不是问题，系统稳定性较高。小功率LED电源可以不用考虑使用外挂MOS，再说内置MOS方案EMC指标很容易通过。

为了变压，需要采用变压器；而变压器线圈只能感应交流电，所以我们通过一个电控开关（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。