mos管的驱动电流计算（mos管驱动电流计算公式）

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1、mos管属于电压控制型的器件，输入内阻很高，类似真空电子管。当栅极电压低于阈值电压以下，栅极电流极小，可以忽略，当栅极电压高于阈值电压以上，栅极电流随栅极电压升高而上升。

2、在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。

3、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

4、因为场效晶体管的输入电阻rGS是很高的，比RG1或RG2都高得多，三者并联后可将rGS略去。显然，由于RG1和RG2的接入使放大电路的输入电阻降低了。

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

2、额定电流和功率耗散此外，额定电流和功率耗散也是选择MOSFET时需要考虑的因素。不同的测试条件下，MOSFET在数据表里都有一个或多个的连续漏极电流。在确定电流等级时，需要考虑器件的工作温度和环境温度。

3、例如，一个典型的晶体管型号可能是“IRF740B”，其中爱尔兰“表示制造商(国际整流器)，740“表示额定电压(740伏特)，“B”表示这是N沟道晶体管。

4、夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

5、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。

其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS管的阈值电压。

MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。

漏电流I=kUC，其中k漏电流常数，U为电容两端电压，C为电容值，单位为μa(v·μf)。电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。

Id=gm*Vgs Id是漏极电流，gm是跨导，Vgs是栅源电压。

MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数；如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。

mos管的驱动电流计算（mos管驱动电流计算公式）

1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

2、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

3、参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻（有可调的），然后试着调整！但一般不这样做。