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请问mosfet饱和求Id的公式里各个量都代表什么?
Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。
是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 BUDS — 漏源击穿电压。
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。
上述的公式也是理想状况下，MOSFET在饱和区操作的电流与电压关系式。事实上在饱和区的MOSFET漏极电流会因为通道长度调变效应(channel length modulation effect)而改变，并非与且VDS全然无关。
id=18例一。股票上的计算公式里的字母都代表什么意思啊？ 这问题很复杂，简单说一个吧： O：开盘价，它是英语“开”的简称； C：收盘价，也就是英语“收”的第一个字母。 你要看相关的资料才行。
Vgs是负压是什么类型管子
P沟道MOS管是一种常用的场效应管，其开启条件为VGS电压为负压，电压的绝对值大于最低开启电压。在实际使用中，将控制信号接到G极，将S极接在VCC，实现对P-MOS管的控制。
pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。
Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。
对于耗尽型绝缘栅场效应管，其栅源电压Vgs为零时，管子的漏源之间存在导电沟道。
MOS管中Vgs是什么意思
1、Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。
2、Vgs就是栅极对源极的电压，如果源极直接接地，栅极电压就等于Vgs。
3、Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。
4、VGS(th)是开启电压，含义是在GS间加上这个电压，MOS管的DS之间就可以有电流流过，不再是截至状态。由于每个管子这个电压存在区别，所以制造商规定了最小值和最大值，就是说合格品的开启电压都在这个范围以内。