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说明mos晶体管包含哪些电容及其物理含义
这些都是MOSFET管，不是三极管（三极管有NPN，PNP之分，MOSFET没有这种说法）。工作电流不同 IRFP250与250N在参数上有少量区别，250的持续电流ID为33A，250N在30A（都是25摄氏度时的最大值）。
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。
黄框里面的是13颗滤波电容。紫红框里面的是15颗MOS， 每一相3颗。五相供电，看红框内的5个感，就确定是五相供电了。
举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。
怎么测MOS管的寄生电容
1、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
2、将万用表打到标有F的电容挡上。将被测电容两极短接进行放电。将万用表表笔与电容两端连接。读取测量数值。与被测电容标称值进行比较，就可以知道大小了。
3、(1)、根据供电电压为士Vdd测量MOS管栅极氧化层的电容值Cox ； (2)、 根据电容值Cox计算MOS管栅极氧化层的积累厚度。其中NMOS管为+Vdd，PMOS管为-Vdd。
4、首先，断开控制器与电源连接，把控制器粗黑线与粗红线碰接短路，这样做的目的是放完内部电容余电。然后，把三根粗黄线对粗黑碰线短接，目的同上。一定要放电后再进行测量。这三根粗黄线实际上是三根相线。
5、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。
6、少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。
mos管寄生电容一般多大
1、小于100pf。在MOS管的DS两端并联吸收电容，DS端并联的电容小于100pf，电容的耐压需和MOS管耐压一致，容值需要根据电压尖峰和寄生电感的大小选择，通常为nf级。
2、要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
3、这问题问的？MOS管是一个系列，功率从小到大很多品种，寄生电容各不相同。好比你问：一条船有多长？小舢板也许只有3米长，大油轮也许300米都不止。
4、mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。