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mos管ds间并联电容过大
小于100pf。在MOS管的DS两端并联吸收电容，DS端并联的电容小于100pf，电容的耐压需和MOS管耐压一致，容值需要根据电压尖峰和寄生电感的大小选择，通常为nf级。
mos管由线性区进入导通区，电路正常导通工作。
因为电压过大造成moS管断开。这种现象叫过流，即mos能过通过的额定电流，在mos管的芯片手册上会有相关的参数说明，如果mos管的电流过大，会产生极高的热量，以至于损坏芯片。
这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。
ASEMI的MOS管9N90的输出电容(COSS)是多少?
N90大电流场效应管封装系列。9N90具有超低栅极电荷（典型值45nC），低反向传输电容（CRSS=典型值14pF），快速切换能力，改进的dv/dt能力，高耐用性等特性。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
Tf： 下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
mos的g极串联一个电容可以导通吗
串联...首先，G级和S级有结电容Cgs，假设mos管完全导通为12V，4V初步导通，那么G级电压会产生一个4V的米勒平台。G级电压会对Cgs充电，使G级电压维持在4V。
下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。
要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
我只要再28VOUT端加上大电容后，不管G极电压变化MOS管一直处于导通状态。如果28VOUT端不加大电容后，MOS管随G极电压变化能起到开关作用。请问这大电容到底影响了什么东西。
因为这是一个增强型N沟道MOS管，必须给G极提供一个与D极相同极性的电压，并且要大于开启电压，才能使该管进入放大状态。CC10两个电容应当是退耦电容（避免由于电源内阻引起前后级间互相影响）。那两个电阻不是线绕电阻。