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MOS管的跨导怎么算?
1、例子：VdsMOS处于线形区。Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。然后I对Vgs求偏导即可：g = partial （Id）/partial （Vgs）= u*Cox*Vds*（W/L）。
2、跨导的单位为S（西），为欧姆的倒数，即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件，如电子管（真空三极管）、场效应管等。
3、MOS的跨导。是指栅极电压与漏级电流间的关系。MOS管是电压控制器件。而输出是电流。物理学中，电压比电流是电阻 电流比电压是电导 这里是栅极电压与漏级电流，所以是跨导。
4、跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。
5、在MOS管中，跨导指MOS管输入端的电流变化与输出端电流变化的比值。具体来说，当MOS管工作在其放大区时，其输出电流随输入电流的变化而变化，并通过其跨导这种指标体现出来。
6、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
MOS管问题
1、mos管gs波形有个负压是mos管的驱动电路出现了问题。原因包括：驱动电路中的电容或电阻出现故障，导致栅极电压无法正确地施加到MOS管上。mos管本身存在损坏或质量问题，导致其无法正常工作。
2、MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）在内部短路时，主要表现为源极和漏极间的电阻降低，电压几乎为0。这种现象通常是由于超过MOS管额定压力、温度或电流等工作条件引起的。
3、是。mos管损坏通常出问题后的症状就是主板通电按开关机器无通电反应，供电方面，主要的三个元器件，电感、电容、电管，最不容易出问题的是电感，极少坏，其中一处损坏都会导致显卡运行故障出现黑屏、闪屏等。
4、mos输入阻抗大(在正常工作范围内可以认为是无限大)，GATE浮空时容易积累压差。而BJT(三极管)输入阻抗小。
mos管的vds和id怎么求?
1、利用I对V的偏导求。注意，这时候需要先判断MOS处于什么工作区域。例子：VdsMOS处于线形区。Id=u*Cox*（W/L）*[（Vgs-Vt）*Vds-0.5(Vds^2)]。
2、mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
3、以MOSFET为例 硬开关：MOS管开通或关断瞬间，Vds和id不为零，存在交叠区间cross time，根据p=v*i，会带来开关损耗。当开关频率f很高时，开关损耗在总损耗中比重会急剧增大。
4、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
5、mos晶体管中，栅下沟道预夹断后、若继续增大vds，夹断点会略向源极方向移动。
6、如果，此时再加上VDS电压，将会产生漏极电流iD。当VGS＝0时没有导电沟道，而当VGS 增强到＞VT时才形成沟道，所以称为增强型MOS管。并且VGS越大，感应电子层越厚，导电沟道越厚，等效沟道电阻越小，iD越大。
mos管中iD增加,为什么vDS下降
1、MOS的导通压降不仅和导通电流有关，还和栅极控制电压有关。导通电流相同的情况下，栅极控制电压不一样，导通压降也是不一样的，因此即便导通电流增大，也可以通过改变栅极控制电压使导通压降减小。
2、MOS管内部短路原因可能包括以下几种：负压过大，过压击穿，过流导热，过热融化，恶劣环境等。这些因素都可能损伤MOS管内部结构，从而导致内部短路。
3、Vds增加时，由电流Id流过，由于沟道存在一定的电阻，因此，Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端最低。
