本文目录一览：
A1SHB,A2SHB三极管MOS
1、A1SHB是P沟道MOS管，A2SHB是N沟道MOS管。封装都是SOT23-3封装 A1SHB(PL2301)实物图片，PL2301是三极管的一种，属于场效应管。A2SHB(PL2302)实物图片，PL2302是三极管的一种，属于场效应管。A1SHB（PL2301）PMOS管。
2、A2SHB是场效应晶体管。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管。它属于电压控制型半导体器件。
3、A1SHB场效应管，型号是SI2035，A1SHB是P沟道场效应管，可代换型号如下：212T 、212S、 A H1SP、 016H 、016X 、 SO16Y、 M21 、PJ230PJ230 XP152A、 Si230 Si230 AO3401。
4、A2SHB是场效应晶体管，具体类别为：Mos管，SI2302。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
5、贴片三极管A1SHB用什么代换 丝印为A1SHB的贴片三极管，不是一般的双极型三极管，而是现在常用的P沟道MOS三极管，该管的型号为SI2301，其采用SOT-23封装，耐压值为20V，Id为3A。
功率场效应晶体管的特性
1、ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导GfsMOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。
2、功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下： 驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。
3、具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
4、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
5、特点：具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.场效应管的作用 场效应管可应用于放大。
ASEMI场效应管7N60的极限和静态参数详解
①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。
N60-ASEMI的最大漏源电流为5A，而漏源击穿电压为600V。这种型号的二极管是一种N型场效应管，其具有较高的开关速度、低正向电阻以及高可靠性。此外，它也能够承受较大的电流，并且具有很好的耐久性。
N60是功率场效应管，参数是：硅、 500V、 2A、 55W 、 RDS(on) ≤ 1 Ω 、带阻尼；7N60C也是功率场效应管，参数：硅、 600V 、12A 、51W 、RDS(on)=0.65Ω 、带阻尼。
场效应管7N60和10N60后一个电流参数大些，多数情况下可以代换。
最多600V。场效应管是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。
康佳电视场效应管7N60B可以用2sk2645管子进行代换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。