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MOS管DS间电阻163K!怎么回事??
MOS管的输入电阻很高是因为其输入端的门极是一个金属氧化物层（MOS）薄膜，相对于BJT（双极型晶体管）的PN结，MOS管的氧化层薄，所以输入电阻很高。具体来说，MOS管的输入电阻由金属氧化物层（MOS）的电容和漏电阻值组成。
这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。
泄放电阻，防止静电击穿GS结以及把G极可能的残留电荷导向地。
短路原因。内阻为零的电源是理想电压源，理想电流源的内阻为无穷大。理想电压源不允许短路，因为内阻为零，输出电压恒定，如果短路电流会无穷大，功率无穷大。
mos管驱动电阻大导通时间延长有以下原因：RC时间常数：在驱动电路中，驱动电阻与驱动电容之间形成一个RC并联网络。较大的驱动电阻会增大RC时间常数，导致电荷注入或电荷抽取的速度较慢，从而延长MOS管的导通时间。
mos管ds电阻为0
负载过重或有短路。散热不好热击穿。电压不稳定造成。
拆下零件测量，要看是什么零件。有些零件的电阻很小，有些很大，不可一概而论。当然，如果是三极管、二极管、电容等，若电阻为零，那一般是坏了，短路了。
用万能表测量电阻，阻值为0的原因可能：（1）电阻出现短路，近似于一根电阻很小，几乎为0的导线，所以阻值为0。（2）量程选大了，假设我们测的电阻值是几欧姆，选择kΩ的档位，也不会有数字显示，也是0。
是指MOS管完全导通的时候，s和d之间的电阻。
mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。
Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs： 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds(on)相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。
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mos管哪个参数决定了驱动能力
1、MOS管是驱动部分的开关管。主要关注耐压，耐流值。还一个就是开关速度。
2、mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。
3、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
在MOS管的D,S极加电阻是做什么用
泄放电阻，防止静电击穿GS结以及把G极可能的残留电荷导向地。
在开关电源中，通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管（应该还要串一电容）至电源的正极。此电路是缓冲电路，吸收电路尖峰，避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏。
加了栅极反向电压后可以将原有的导电沟道夹断，使电流进入饱和区，通过所加栅极的高低来控制其导电沟道的大小，起到电压控制电流的作用。正因为未加栅极电压时DS间有导电沟道，所以用欧姆表测量DS间就有了固定电阻值。
起到隔离直流分量的作用，这个好理解。这里之所以加电阻，是因为开关管关断后，存储在电容上的电量需要放掉，才能迎接下一个脉冲，这里边通过一个限流电阻限流使电容上的电量通过一个电感放掉。
MOS管的S极到电源负端之间通常会串联一个阻值极小的电流采样电阻（阻值通常在几欧到零点几欧之间），用作IC的过流保护采样用。