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mos管内部短路电压变化
放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。
MOSFET开关时间改变电压的原理其实就是PWM（脉冲宽度调节）控制，开关电源里面的MOSFET都是和电感或者电容这些储能元件配套使用的。一般情况下MOSFET开的时候会向电感、电容这些元件中储存能量。
mos击穿后，多数情况下会形成短路，当mos管的栅极电压超过其击穿电压时，栅极与源极和漏极之间会发生永久性导通，使得mos管失去了绝缘性能，mos管相当于一个短路。
电压过低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。驱动电压大小影响导通电阻，电压越低电阻越大，部分情况会导致保险丝烧断。mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。
由于耗尽型MOSFET在VGS=0时，漏源之间的沟道已经存在，所以只要加上VDS，就有ID流通。如果增加正向栅压VGS，栅极与衬底之间的电场将使沟道中感应更多的电子，沟道变厚，沟道的电导增大。
会短路。因为电容前面应加电阻，若电容未充电前，电流特别大，就相当于短路。电容两端的电压无法畸变。
电应力是怎么回事
1、“电应力”一般指“电压应力”。电压应力就是你应用中的电压与零件规格值的比值。一般设计时电压应力不超出90%。
2、当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发生变化，这种形变称为应变（Strain）。材料发生形变时内部产生了大小相等但方向相反的反作用力抵抗外力，定义单位面积上的这种反作用力为应力（Stress）。
3、电应力就是载流导体间的相互作用力。A载流导体产生磁场，B载流导体与该磁场产生电动力，反之依然。这就是电应力。电应力主要用来分析短路情况下电气元件的机械强度。
4、EOS就是是电气过载，超过了设备本身的额定负载，产生的现象是电流过大，用电设备发热，线路长期过载会降低线路绝缘水平，甚至烧毁设备或线路。
电应力是什么东西?
当材料在外力作用下不能产生位移时，它的几何形状和尺寸将发生变化，这种形变称为应变（Strain）。材料发生形变时内部产生了大小相等但方向相反的反作用力抵抗外力，定义单位面积上的这种反作用力为应力（Stress）。
电应力就是载流导体间的相互作用力。A载流导体产生磁场，B载流导体与该磁场产生电动力，反之依然。这就是电应力。电应力主要用来分析短路情况下电气元件的机械强度。
电压与零件规格值的比值。电压应力意思是电压与零件规格值的比值，电流应力就是你应用中的电流与零件规格值的比值，设计时电压应力不超出90%，电流应力不超出80%。
所谓电应力，是指器件工作时，特别是开关运行时由于dv/dt和di/dt引起的瞬态过电流和瞬态过电压。它和寄生参数有关，其本质是瞬时的功耗(能量)集中。
电流应力：就是你应用中的电流与零件规格值的比值。电压应力：就是你应用中的电压与零件规格值的比值。在一般设计时，电流应力和电压应力都要满足一定的条件，类似于材料的许用拉应力、许用剪应力一样。
mos管电流应力测有效值吗
1、有效值又称均方根值，将电流波形——平方——在周期上取平均——开根。MOS管与续流管的选取均应该按照最大值计算，计算有效值并没有多大意义？这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。
2、是的，输出评估的是有效值。 没看过TOP250Y的资料。如果管脚功能确如你所述，那么理论上可行，但普通的数字电位器精度太差，精度高点的又太贵。
3、mos管的平均电流与有效电流没有什么关系。mos管的平均电流用来计算一定时间内能过的电荷量，mos管的有效电流是用来计算热量的，两者之间没有关联，所以mos管的平均电流与有效电流没有什么关系。
4、都是有效值，因为我们使用的电压和电流都是按照有效值来计算的。瞬时值是理论值，除非用专用的仪器检测，否则是很难检测到的。
5、交流电路使用交流电流表，测量出的电流是有效值，直流电路使用直流电流表，测量出的电流是平均值。
开关MOS管旁边并联的RCD吸收回路的吸收原理是什么?
1、作为一般开关时，K1358关断瞬间，UDS升高，通过C5，VD4，R4回路，对 C5充电，降低电压应力（吸收关断瞬间的能量），增加电压上升时间；K1358导通后，C5通过R4和K1358放电，使电压降低至0V。
2、rcd吸收电路的原理RCD(ResidualCurrentDevice)吸收电路的原理是监测电路中的漏电流，如果发现不平衡的电流，就会触发断开电源的保护功能，从而防止电气意外。
3、RCD吸收电路它由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成，电阻Rs也可与二极管VDs并联连接。吸收电路对过电压的抑制要好于RC吸收电路，与RC电路相比Vce升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收电阻，在一定程度上降低了损耗。
4、在开关电源，尤其是斩波器电路和桥式开关电源中，经常在MOS管或者IGBT两端并联吸收回路或者缓冲电路，而在单端反激式电源里通常在变压器绕组上并联RCD吸收电路。
5、加入RCD吸收保护电路后，感应电动势使二极管D正偏导通，励磁电感储存的磁能为电容C充电、被电阻R消耗，由电容端电压不会突变的特性，感应电动势的幅度被限制在不大的数值范围内，避免Q1击穿损坏。
6、那个叫RCD吸收，一般有二极管、高压瓷片电容、电阻组成，主要用来吸收开关管关断时变压器初级线圈产生的冲击电压。