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N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管分别在何种条件下工作在恒流区和...
而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。请看下图。1）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。
漏极电源大于预夹断电压：n沟道耗尽型mos管恒流区需要漏极电源大于预夹断电压，沟道才能够完全导通，从而保证恒流区的工作条件。
：a是N沟道场效应管，由Id电流在Re上可能产生自给反向偏压，可能工作在恒流状态。2：b，c是N沟道增强型MOS管，GS要加上正向偏压才能工作，图中所示不可能工作在恒流状态。
n沟道耗尽型mos管工作在可变电阻区的条件
）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。
判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。
N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。
N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT 可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。在可变电阻区内：VGS =VT， VDS = VGS-VT。在饱和区内：VGS=VT， VDS = VGS-VT。
那么我们会希望它大部分时间工作在截止区或饱和区。在截止区，NMOS管断开，没有电流通过；在饱和区，NMOS管导通，电流可以通过。如果我们希望用NMOS管作为一个可变电阻或者电流源，那么我们会让它工作在线性区。
mos管可变电阻区电流公式
1、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。
2、如下图所示是一个NMOS的模型图。MOS管是四端器件，包括源端（S）、漏端（D）、栅端（G）和衬底（B）。在标准CMOS工艺中，所有MOS管共用一个P型衬底，为了防止PN结正偏，P型衬底一般接GND。
3、在可变电阻区内：VGS =VT， VDS = VGS-VT。在饱和区内： VGS=VT， VDS = VGS-VT。P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT 可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。
4、uGS(off) 的点连接而成的，预夹断轨迹满足方程：uDS=uGSuGS(off)。可变电阻区就应该满足uDSuGSuGS(off)。恒流区就应该满足：uDSuGSuGS(off)。