本文目录一览：
- 1、求找一个低压大电流mos管
- 2、低压mos驱动电阻选多大
- 3、N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
- 4、高压MOS管和低压MOS管各用在哪些方面,高低压是以400V为分界线吗?_百度...
- 5、mos管的最大持续电流是如何确定的?
- 6、500a大电流mos型号
求找一个低压大电流mos管
1、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
2、MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
3、就用IRFP4668，它工作电压200V，电流130A，功率520W，淘宝有的是。
4、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
5、华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS，有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。
6、可以考虑大电流型 IGBT，具有场效应管电压控制及双极型三极管饱和压降低的双重优势。参考型号如：RJP 4301等。你可以在某宝平台，用“IGBT 200A”（不要双引号）做关键词进行搜索，海量产品跳出。
低压mos驱动电阻选多大
用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
mos输入端通过电阻接地的电阻值应为4k~6k之间不能多出这个范围之内，通过电阻接电的电阻值应该就在这个范围之内，希望对你有帮助，谢谢。
由于该类型管子的输入电阻极大，如果不是工作在高频状态，对电阻选择要求不高，R2R26数百欧姆到数K欧姆都可以，R2R27在10K-20K范围也都可以。
mohm以下。根据查询coolmos品牌官网得知，Coolmos的驱动电阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，开关越高，EMI的问题就出来了。所以，coolmos驱动电阻一般选用15mohm以下。
欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。
这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
高压MOS管和低压MOS管各用在哪些方面,高低压是以400V为分界线吗?_百度...
工作电压范围：高压MOS管用于工作电压高的应用，在几十伏特至上百伏特的范围内，而低压MOS管适用于低的工作电压，在几伏特至几十伏特之间。
电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
对管道来说，低压 P≤6MPa 中压 6MPaP≤8MPa 高压 P8MPa 下面的是电压 低压：低于400V；中压：10-35kV；高压：110kV以上500kV以下；超高压：500kV及以上。
低压：低于400V。中压：10-35kV。高压：110kV以上500kV以下。由于我国的电压等级基本有220V、380V、10kV、24kV、35kV、110kV、220kV、500kV、800kV、1000kV。在一定的电压作用下，通过人体电流的大小就与人体电阻有关系。
mos管的最大持续电流是如何确定的?
1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
2、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
3、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
4、A。MOS管承受电流6到9A最大不会超过20A。三极管最大特点是输入阻抗高。作为放大电路或者担任功率放大也可以。
5、参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻（有可调的），然后试着调整！但一般不这样做。
500a大电流mos型号
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
识别型号：型号通常会包括制造商的标识、晶体管的类型(如N沟道或P沟道)、额定电压、额定电流等。
使用测试仪器：使用万用表或测试仪器对MOS管进行测试，可以得到一些参数，如漏极电流、漏极电压等，然后通过这些参数来推测MOS管的型号。
有很多电流等级，也有进口和台产的芯片在内地封装的。
这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。