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电路分析MOS管的小信号模型等效电路,请问为什么不把后面的电阻也算进来...
解：你的理解有误，输入电阻中已经考虑了Re和 Rc的值。最终：Ri=Rb1∥Rb2∥Ri。其中，Ri=rbe+（1+β）RL。在其中，RL=Re∥Rc。
MOS小信号等效电路是用于分析和设计MOS场效应晶体管的一种方法。它将MOSFET简化为一个等效电路，其中包括输入电容、输出电阻和放大系数等参数。
小信号模型，是基于输入的信号很小、电路元件参数基本不变，这样非线性电路转化为线性电路，如三极管可以等效为一个受控电流源。因为信号变化量微小，所以有的教材也成为“微变等效电路”。
求外电路的等效电阻就不算电源内阻；求全电路的等效电阻就要算电源内阻。
V与MOS管连接的那里，直接连接就行了，它需要一直为3V，加个电阻还多余了。具体的原理，可以看下这篇文章，链接在这里。完整的MOS管双向电平转换电路见下图，常用在i2c电平转换上。
学戴维南定理，那么应该学过基尔霍夫定律。这个方法都是一种简化方法，单纯考虑某一条支路，此时不考虑其他支路是为了简化电路方程；最终电流确实是各个支路的综合结果。
关于场效应管的等效电路问题
1、就是一个电路单元的输出电流与该单元的输入电压的比值，这个电路单元通常指放大器。跨导放大器的增益(该放大器输入电压变化时，输出电流将随之线性变化)。在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。
2、以下是画出 MOS 小信号等效电路的步骤： 画出 MOSFET 的符号，并标注引脚名称（源极S、栅极G、漏极D）。 在栅极与源极之间画出一个输入电容 Cgs，表示当外部交流信号作用时，栅-源之间会产生一个变化的电荷量。
3、场效应管的微变等效电路见下边两个图。第一个图考虑了管子的输出电阻rds。第二个因为rds很大而被忽略了。
4、都可以用受控电流源等效，只是输入电阻rgs很大，通常作为开路处理。场效应管（FET）路放大电路有共源极、共漏极和共栅极三种接法，对于每一种接法的电路，求解AV、Ri和Ro等放大性能指标的方法与双极型三极管放大电路类似。
5、确定电路的基本结构，根据MOS管的特性，确定电路的基本结构，包括输入、输出和中间级。
6、假设输入信号ui的内阻为无穷大，则场效应管电路的 输入电阻=Rg3+Rg1//Rg2=500K+100K//100K=550K Rg3是场效应管电路输入的一部分。
MOS管的小信号等效电路怎么画?
以下是画出 MOS 小信号等效电路的步骤： 画出 MOSFET 的符号，并标注引脚名称（源极S、栅极G、漏极D）。 在栅极与源极之间画出一个输入电容 Cgs，表示当外部交流信号作用时，栅-源之间会产生一个变化的电荷量。
标注电路元件的参数，根据电路的实际参数，标注电路元件的参数，包括MOS管的导通电阻、跨导、栅极电荷等。根据以上步骤，完成MOS小信号等效电路的绘制。
模拟画法：首先明确晶体管的三个端口（假设不考虑mosfet的衬底端口 ）与小信号模型的对应关系。
小信号等效电路是针对电路的交流通路而言的，所以画小信号电路时，首先将电容、直流工作电压源短路，得到交流等效电路，然后将非线性元件（二极管、三极管，主要指三极管）线性化，等效为受控电流源，就得到了小信号等效电路。
① 微变等效电路的对象只对变化量，且信号频率足够大，因此电容短路。② 微变等效电路是在正确的Q点上得到的，如Q点设置错误，即Q点选在饱和区或截止区时，等效电路无意义。
然后得到放大电路的交流通路，得到交流通路之后将三极管的b-e的PN结换成一个等效微变电阻（这个电阻一般都会给），将三极管的C-E端视为一个受控电流源。这样模拟电路的小信号等效电路图就画出来了。
什么是垂直导电结构,在MOS管中的知识
1、为了提高MOS管的电气特性，尤其是耐压和耐电流能力，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），其具体工作原理为（参见下图）：截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。
2、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
3、小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。
4、MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
5、VMOS管则不同，其两大结构特点：第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。