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详解功率MOS管的每一个参数
1、P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。
2、影响MOSFET在缓启动和防反接应用中效率的主要指标包括：电压等级、导通电阻、栅极电荷和优值系数、额定电流和功率耗散。电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。
3、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
4、例如，一个典型的晶体管型号可能是“IRF740B”，其中爱尔兰“表示制造商(国际整流器)，740“表示额定电压(740伏特)，“B”表示这是N沟道晶体管。
5、V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
求详解:MOS管,三极管,功率管,开关管之间的联系与区别
1、主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
2、三极管和场效应管是两种不同原理的半导体器件，但最后起的作用类似。根据不同的功能这两种都可用于做行管。你的这些概念是不同的分类方式的不同叫法，比如按功率分三极管和场管都有大功率管和小功率管，大功率管简称功率管。
3、区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。
4、MOS管和三极管有什么区别如下：控制原理不同 MOS管用电压控制，三极管用电流控制。成本造价不同 MOS管造价贵，三极管造价低。功率消耗不同 MOS管功耗低，三极管功耗大。
场效应管的瞬时极性法怎么用?说一下三种接法的。。
1、瞬时极性法场效应管 变压器极性判断 其他类似问题2011-08-22 场效应管的瞬时极性法怎么用？说一下三种接法的。
2、场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。
3、瞬时极性法是设输入端输入一个正信号，根据放大电器的工作是同向还是反向，同向用正表示，反向用负表示，如果反馈到输入端的同一点，极性不同，则为负反馈。
4、图中红色的+、-符号是输入瞬时极性变化传递过程，绿色符号是反馈传递过程。传递信号的过程中，基极和发射极同相、和集电极反向。
5、如果需要判定过程，那么用瞬时极性法，在输入端加瞬时正信号，判断输出信号的极性，输出为正，φA=0，输出为负，φA=π。进而根据输出信号判定反馈信号，反馈信号与输出信号同相，φF=0；反馈信号与输出信号反相，φF=π。
MOS管导通条件是什么?
P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。
PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。
P沟道MOS管导通的条件是在栅极G加触发电压，使源极S与漏极D导通。在P沟道MOS管中，当栅源电压差大于阈值电压时（即VGSVth），会形成一个由正负载流组成的导通路径，使漏极D和源极S之间可以通过电流进行传输。
但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。
pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
