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升压电路中,为什么二极管不用mos
1、因为二极管的管压降在通入大电流的时候功耗太大，比如二极管压降为0.7v，输出电流为10A的时候，二极管自身损耗高达7W，基本不用考虑。
2、步骤一：如图回路1，开关管闭合（MOS管导通，相当于一根导线），这时输入的直流电压流过电感L。二极管D1作用是防止电容C对地放电，同时起到续流作用。
3、节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。
4、在直流开关稳压电路（包括升压电路和降压电路）中使用的二极管要求开关速度很高，通常使用快速恢复二极管或者肖特基二极管，用普通的整流二极管不行，因为速度太慢，用开关二极管多数情况下也不行，因为开关二极管的额定电流比较小。
5、在充电过程中，开关闭合（三极管导通），等效电路如图二，开关（三极管）处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。
6、同步升压电路采用的是MOS管整流输出，由于MOS管在开启状态下内阻极低，在整流过程中的损耗也极低，所以同步升压的效率高，发热量低。可以做大功率升压应用。
mos管作为二极管原理是什么
1、就是冰包内部的制冷铝，电流由P型元件流向N型元件的接头释放热量，成为热端。所以肖特基二极管就会有一面冷一面热，肖特基二极管制冷片它要制冷，就必须要将热排走，否则就会低消制冷的效果。
2、由于扩散作用使多数载流子在浓度差梯度的方向上集中从而形成少数载流子的注入-迁移现象。pn结的反向击穿当外加电压超过一定值时，少数载流子的数量超过了多数载流子数量的两倍时就会发生反向击穿而使二极管损坏。
3、二极管正向导通，反向截止。MOS管是一种电压驱动型的器件，可控整流来实现交流变直流，利用了二极管正向导通，反向截止的原理。MOS管多被用作电子开关，用在控制控制回路中控制负载的通断，还具有防反接开关和电平转换的作用。
4、MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
buck电路主要应用在那些场合?
1、这个比较多，LT3797，3796等。一般应用在宽电压输入范围，宽输出电压范围之类的电器，例如led灯。塔吊电源，应急照明等等。这个都有方案。
2、DC/DC变换电路有多种拓扑结构，如降压型（Buck）、升压型（Boost）、升降压型（Buck-Boost）等，每种结构都有其特定的应用场合。
3、该太阳能充电器由多晶硅太阳能电池将光能转换为电能，通过Buck变换器变换为稳定的直流输出，利用锂离子电池充当储能单元。应用AT89S52单片机设计充电电路的控制管理系统并通过调节PWM波形的占空比来控制电路输出。
4、BUCK-BOOST是一种经典的负电源架构，属于斩波器的一种，广泛应用在OLED驱动、音频等领域，其基本架构见下图，与BUCK、BOOST一样，BUCK-BOOST也是由基本的开关、二极管和电感组成。
5、buck电路不就是降压斩波电路嘛，是基本的DC-DC电路之一。用于直流到直流的降压变换。可以看一下开关电源或者电力电子，都会讲到这个电路。
MOS管栅极和漏极直连,MOS管是不是就可以当二极管使用了?能否用其隔离两...
1、MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的，内阻低，都是毫欧级的。
2、在MOS管中，栅极与源极之间加上一定的电压，可以改变栅极和源极之间的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。具体来说，MOS管的结构由栅极、漏极和源极组成。
3、从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
4、不是栅-漏吧，应该是漏-源才是。这个是在制造过程中，MOSFET的源极金属板将二次扩散的N+区和P区连在一起，而等效出来的二极管。这个管子的存在对于MOSFET的静态和动态特性都有影响。PS：不是故意加上去的。