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mos和IGBT的最大连续耗散功率(PD)和开关损耗有区别吗,PD是如何计算的...
1、MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。
2、PD最大功率耗散（Ta=25°C）：是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率（也就是损耗）。
3、- IGBT：IGBT的导通电阻较高，相对于MOSFET，它在导通状态下会有一些功耗。因此，它更适用于中高电压应用。 开关速度：- MOSFET：MOSFET具有非常快的开关速度，适用于高频应用，如直流至直流转换器（DC-DC转换器）。
4、IGBT的PD应该是指的在一定条件（温度、开关频率等）给出的数据，具体的还得自己估算（一般IGBT厂家有公式和仿真软件）。一般损耗低的好。
5、其中：- P_D是IGBT的耗散功率。- I 是IGBT的电流。-R_{DS(on)}是IGBT的导通状态下的导通电阻。请注意，这个公式是一个理想情况下的估算，实际情况会受到电路的复杂性、工作条件的波动和散热能力的影响。
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
MOS管的Pd与输出功率是什么关系?
PD代表的是功率耗散.耗散功率就是某一时刻电网元件或全网有功输入总功率与有功输出总功率的差值。耗散功率，也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
输出功率是指MOS管输出的有效功率，而耗散功率是指MOS管在工作过程中消耗的功率。输出有功功率和耗散功率也不相等，它们之间的关系取决于具体的电路设计和工作条件。通常情况下，输出有功功率和耗散功率之和等于输入有功功率。
PD是指器件允许的最大消耗的功率，是在Tj=25度定义的，一般可由Pd=I*I*Rdson得到 在实际应用中，PD是指所有功率损耗的和，所以开关损耗只是Pd中的一部分。
MOS管的功率，一般是指MaximumPowerDissipation--Pd，最大的耗散功率，mos耗散功率225瓦就是指的是mos的最大功率为225瓦，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。