mos管ds短路（mos管ds短路时间在哪）

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1、开路。MOS击穿后是出现开路状态，当MOS击穿时，出现高电压或过电流，会导致绝缘层破坏，形成电流流过，从而导致器件的通路打开。

2、该情况即可能短路也可能开路。mos击穿后，多数情况下会形成短路，当mos管的栅极电压超过其击穿电压时，栅极与源极和漏极之间会发生永久性导通，使得mos管失去了绝缘性能，mos管相当于一个短路。

3、两种可能都存在，如果电源足够强，最后总是烧到断路为止。

4、容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。

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1、由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。

2、在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。

3、在MOS管的结构中可以看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。

4、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

5、导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。

6、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

1、只要测量出来几组数值，有一组为300-700欧姆之间，则该管子是好的，如果放电以后，测量MOS管三个脚其中一组数值为001则该管子击穿，如果测量出来三组数值都为“1”该MOS管内部开路。

2、即使告诉了你怎么测量有多少欧也没什么用，因为你仅仅知道测个三极管的好坏也没用啊！至于怎么放大，和这个管子关系不大，这个管子是当开关管用的，放大倍数比较低。那个HFE只是个参数而已。对这个管子而言一般不需太关注它。

3、用同型号的电阻替换但可能导致数字万用表电压档的测量灵敏度变低或变高，因为每台数字万用表出厂都有精确的调试，如果测试的范围要求的精准度不高，建议维修，如果测试范围要求精准度高的话，建议重新购买。