mos管放大电压（mos管放大电路实验报告）

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不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

mos管放大电压（mos管放大电路实验报告）

1、晶体管本身是电流放大元件，但在百电路中电流的变化都可以通过电压表现出来，或者可度以用电压控制电流（输入），用电流控制电专压（输出）。所以准确的说应该是一些晶体管【电路】有放大电压的作用。

2、电压放大就是将电压的变量放大，用晶体管进行电压放大，就是将晶体管的集电极变化的电流转换成电压。

3、三极管可以放大电压三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

4、MOS放大器是电压放大器。它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。

MOS管、BJT管都没有电压放大倍数。MOS管的放大能力用gm（跨导）来表示，gm=ΔId/ΔUbe，三极管的放大能力用电流放大系数（β）来表示，β=ΔIc/ΔIb。电路才有放大倍数。不同的接法放大倍数不同。

结型场效应管电压放大倍数。放大倍数AV是输入输出电阻决定了得出的。如输入电阻Ri=7M，RD=5K。放大倍数应为AV=7X5=-35gmK。

MOS放大器是电压放大器。它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。

正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。

它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（5A—100A）、输出功率高（1—250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

1、假设没有三极管，并将下面运放的7相连，就是一个运放跟随器，电压放大倍数=1，运放7的输出等于输入端5的电压。因为运放的两个重要特征：1)开环电压放大倍数非常大，10的n次方；2)运放的输入端内阻很大，所以输入端电流很小。

2、图左U1A运放与VMOS管Q2构成电压转换恒定电流电路，负载电流正比于运放U1A的输入电压Vda，即在电阻R4中流过的电流等于Vda除以R4，这个电流大小与负载电阻阻值大小无关。

3、它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。将这个压降引出就是输出电压。这个输出电压比输入信号电压扩大了许多倍。

4、如果三极管是理想的，这个电阻可以下降到近似0的水平。运放也沿用了这个特点，实际运放一般都在几十欧姆水平。如果是MOS管输入结构的运放，那就更不用说了，输入电阻本身就有10^12欧姆级别，再加上恒流源效应。

5、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。

6、差分放大：运算放大器的基本原理是差分放大器。它具有两个输入端口：非反相输入端（+）和反相输入端（-）。当输入信号加到非反相输入端时，放大器会放大这个信号，同时通过反相输入端引入一个与输入信号相反的放大信号。

不一定会击穿，击穿期间流过的电流的功率适当，晶圆产生的温度没有超过它能承受的高温，就不会坏。电流和时间的乘积产生热量，MOS有个热阻。。

当然会击穿了，谁告诉你通常只考虑栅源电源了，漏源电压就不考虑？没有像你说的考虑栅漏电压的，厂家给出的都是漏源的耐压值，在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。

N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

最后，需要注意的是，虽然栅极电压的增加可以减小RDSN并增加漏极电流，但是过高的栅极电压可能会导致MOS管的击穿或损坏。因此，在实际应用中，需要根据MOS管的规格和电路设计要求来选择合适的栅极电压。

MOs开启电压需大于10V速度微秒级、关闭也需10V微秒级，就这1微秒如延长2一3微秒上升下降时间功耗就加倍了。