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您好,请问我按照原理图接线,为啥mos管不导通?源极和漏极间电压200v
1、你说的N 型mos管的导通，主要是看栅极，栅极上的电压相对于GND是正电压，达到一定值，那么mos管导通。你可以理解为：栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。 一句两句也说不清楚，你可以这么去理解。
2、MOS管的栅极和漏极可以是相同电压，如果它们的电势相同，就会处于截止状态，不会导通。当MOS管的栅极电压大于阈值电压时，电子会开始在通道中流动，从而使漏极电压低于栅极电压，使得MOS管导通。
3、MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）在内部短路时，主要表现为源极和漏极间的电阻降低，电压几乎为0。这种现象通常是由于超过MOS管额定压力、温度或电流等工作条件引起的。
4、nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的，一般NMOS的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。
5、MOS管的栅极（gate）存在一个平板寄生电容，有兴趣可以看看半导体器件方面的资料 如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电，所以栅极的电压其实还是基本维持在5V，越大的MOS管电容也就越大，这个现象也就越严重。
mos管型号有哪些?
贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道，产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案，产品型号(PartNo.)：9926A。
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
场效应管4102STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
大致分为：主要的有150V-2A，3A，15A，20A，150V-79A MOS管。其次是105A，150A，150V-310A ，250V-18A，33A，44A，250V-58A MOS管，69A，90A MOS管。
V70A，500V72A的MOS，500V74A，500V77A，500V80A，500V85A，500V88A的MOS，500V90A，500V95A，500V100A，500V110A，500V120A的MOS管。
IRFP460：这是国际整流器公司生产的一款大功率mos管，最大漏极电流可达20安培，最大漏极电压可达500伏特。IXFN44N50Q2：这是英飞凌公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达44安培，最大漏极电压可达500伏特。
200V的MOS管有哪些规格和品牌选择?
1、V0A的4935。200V0A的4935其中针脚为2个，也就是日常经常见到的普通MOS管，而SO-8FL，SO-8即我们常见的八爪鱼MOS管。MOS管有三个引脚，分别是，栅极G、源极S、漏极D，这三个脚，用于链接外部的电路。
2、首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。
3、原理都差不多。作用也差不多。只是从理论上来说，MOS管线性更好一些，接近电子管里面的五极管。FET管接近电子管里面的三极管。但是这些都是理论上来说的。实际MOS管功放未必就比双极型三极管功放的声音好听。
4、栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
5、IPB107N20N3G功率MOSFET的基本性能参数 IPB107N20N3G是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通阻抗、高开关速度和高耐压等特点。
IRF640是什么管子
1、IRF640是N沟道MOS功率管，参数为：18A， 200V， 0.180 Ohm， N-Channel Power MOSFETs。IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。
2、IRF640是一种N-MOSFET（N型场效应管），它具有较高的电流增益和较低的漏电流。
3、你是不是搞错了，IRF640是增强型N-MOSFET，不是三极管，也就无所谓对应的NPN管。我想你问的是什么管跟IRF640匹配吧，应该是IRF9640，增强型P-MOSFET。
4、基本可以，不过代换以后，IRF640的发热会高一些。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
5、IRFZ48N为55V/64A场效应管。IRF640为200V/18A场效应管。两者耐压和允许最大电流相差太多，所以不可以相互代换。