mos管引脚区分（mos管3个引脚哪个是g d s）

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漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）通常具有三个引脚，它们是栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。这些引脚的区分方法通常如下：栅极（Gate）：栅极是MOS管的控制引脚，用于施加控制电压以控制MOS管的导通和截止。

G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

场效应管与普通三极管功能一样，三个电极对应为：发射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管脚排列为（管脚朝下、面对型号）左起1脚为G，2脚为D，3脚为S。

下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：有三个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。在开关电路中，D和S相当于需要接通的电路两端，G为开关控制。

mos管引脚区分（mos管3个引脚哪个是g d s）

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

源极（Source）：源极是MOS管的输入引脚，它是电流流入MOS管的地方。在MOS管上，通常有一个明确标记为Source或S的引脚，它与源极电流相关。通常，MOS管的引脚标记会在器件的外壳上清晰可见，以帮助区分这三个引脚。

。对于主板上来说，常用的场管为3055，15n03，45n03，60n03，还有70n03 2，3。说个简单的给你黑表笔接d极，红表笔接s极，有500欧左右的阻值为n沟红表笔接d极，黑表笔接s极，有500欧左右的阻值为p沟 4。

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）通常具有三个引脚，它们是栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。

S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。

场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

中的漏极d对应640场效应管实物图（如果所示2）的中间的管脚；640场效应管原理图（如图1所示）中的源极s对应640场效应管实物图（如果所示2）中最右边的管脚。

现在，场效应管已经被广泛运用在计算机、视频和音频电路、功率放大器、开关电源和其他电路中的关键部分。场效应管的三个电极场效应管的三个电极是栅极、漏极和源极。

VSS的意思：通常指电路公共接地端电压或电源负极。VEE的意思：负电压供电；场效应管的源极（S）。电路是电流所流经的路径，或称电子回路，是由电气设备和元器件（用电器），按一定方式联接起来。