mos管导通压降（MOS管导通压降多大）

本文目录一览：

选的型号不对额，可能mos管没有完全导通，可能mos管本身的内阻就大，那是因为mos管的内阻太大了；第二。

MOS管应该要用P-MOS而不是N-MOS，同时加一个电阻分压，防止Vgs过电压；电路用N-MOS的话，VT1截止Vg才为高电平，输出电压跟负载有关。

你的1N4743是稳压为13V的稳压管，现在电源都只有12V，所以D2其实并不起作用。Q1的状态其实是截止，Q1的集电极输出电压接近电源电压12V，G的电压是12V，但问题是UGS是多少呢？MOS管的状态是UGS决定的。

1、因为阈值电压越高，饱和电流变小，所以速度性能越高，但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。所以mos电压越高，饱和电流越小。器件的阈值电压会随着沟道长度变小而变小，而饱和电流会随着沟道长度的变小而增大。

2、它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。将这个压降引出就是输出电压。这个输出电压比输入信号电压扩大了许多倍。

3、你调整一下顺序，就好理解了。在闭合电路中，当外电阻增大时，电流将减小，路端电压会增大，这时内电压则减小。

4、）你的PCB上地绘制可能有问题，可能MOS开通瞬间大电流经过3V地，造成地电平发生变化。2）还有就是这个大电流如果与3V有关的话那就是启动电流太大了，串电感抑制瞬间大电流或者增加3V电容增加抗冲击能力。

MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候，VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了，一般在相同电流下，额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。

电路设计不合理，导致MOS管工作在放大区。Vgs给得太小，MOS没有完全打开导通，Vgs最小2V，最大4V。Rds最大为0.45Ω，工作温度高，通过电流大，导通压降就会大。

所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～5V。

选的型号不对额，可能mos管没有完全导通，可能mos管本身的内阻就大，那是因为mos管的内阻太大了；第二。

顾名思义：静态，就是测试条件固定不变，这儿指通过的电流固定在某指定值。管，即器件，可以是某二极管，也可以是三极管，甚至MOS管，SCR，IGBT。压降，就是通过电流时降落在被测器件上的电压值。

因此，7N60-ASEMI二极管不仅适用于各种开关、功率调整、过流保护以及PWM调制中使用——而且它的最大漏源电流也能够达到5A；而它的最大击穿电压也能够达到600V。

N60极限参数：（1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。6N65在TO-220封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。

最多600V。场效应管是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。

场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。

1、根据以上原理分析，在你的问题中，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

2、一般市面上最常见的是增强型N沟通MOS管，你可以用一个电压来控制G的电压，MOS管导通电压一般在2-4V，不过要完全控制，这个值要上升到10V左右。给你推荐一种方法。

3、N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。

4、最大20瓦，最小12瓦。根据查询国家标准《安全电压》信息显示，mos管的导通起控电压为2到4瓦，GS极之间最高电压不能超过20瓦，GS两极之间接入最低12到15瓦，所以mos管开启电压最大值为20瓦，GS最小值为12瓦。