mos管电流控制（mosfet电压控制电流）

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1、MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

2、而MOS管是一个电压控制的电流源，用Ugs去控制IDS，Ids=gmUgs，gm是MOS管的低频跨导。

3、电压与电流的关系：成正比，关系式I=U/R。电压是形成电流的原因，当电压为0时，导体中不会有电流通过，即电流也为0。

1、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

2、MOS放大器是电压放大器。它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。

3、目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。

场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制的，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

场效应管是电压控制器件，也叫单极性晶体管，参加工作只有多数载流子的电子；而三极管是电流控制器件，也叫双极性晶体管，电子和空穴都参加工作。所以控制漏极电流只需对G极的电压加以控制就行。

英语是场效应晶体管，缩写为FET。与双极晶体管相比，场效应晶体管具有以下特点。(1)FET是电压控制器件，通过VGS(栅源电压)控制ID(漏电流)；(FET的控制输入电流极小，因此其输入电阻很大。

电力特点：用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种电子元件，常用作电子电路中的开关或放大器。它基于场效应原理，通过在栅极上施加电压来控制从源极到漏极的电流。

MOS管的闸电流中的“Qg”意思是： Q---表示电荷量，g---表示栅极。Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。MOS管的栅极特性相当于一个电容，电容是以电荷量Q，单位库伦表示所储存的电能量。

Vth 是MOS管的阈值电压。这个公式的详细解释如下：漏极电流（ID）是MOS管中的电子流，取决于沟道的尺寸（W 和 L）以及施加在栅极和源极之间的电压（VGS）。μn 是材料特性，表示电子在半导体中移动的速度。

场效应管的雪崩电流是指功率MOS管开通时，造成功率MOSFET损坏的电流场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。