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mos管的常见型号
常见的有这些2N7000、2N700IRF510A、IRF520A、IRF530A、IRF540A、IRF610A、IRF620A、、RF630A、IRF634A、IRF640A、IRF644A、IRF650、IRF654A、IRF720A、IRF730A、IRF740A、IRF750A、IRF820A、IRF830A。
IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
IRFZ44N是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为49A，具有低导通电阻和高开关速度。IRF3205是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为110A，具有较低的开关电阻和高开关速度。
贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道，产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案，产品型号(PartNo.)：9926A。
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
大致分为：主要的有150V-2A，3A，15A，20A，150V-79A MOS管。其次是105A，150A，150V-310A ，250V-18A，33A，44A，250V-58A MOS管，69A，90A MOS管。
228mos管和3713mos管比较
1、几毫欧姆到几百毫欧姆。MOSFET的尺寸会影响其内阻，较大的MOSFET具有较低的内阻，而较小的MOSFET则有较高的内阻，大概在几毫欧姆到几百毫欧姆之间变化。
2、mos管的电流为260a。MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为金属-氧化物-半导体，描述了集成电路中的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。
3、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
4、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
5、MOS管属于电压控制。成本方面：三极管价格比MOS低。功耗方面：三极管损耗比MOS大。驱动能力：三极管用于数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
mos管的主要参数
开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
MOS管主要参数：开启电压V T ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，V T约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的V T值降到2～3V。
如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻则是总导通电阻的95%。
ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。
F9530N请问各位是什么三极管~参数是多少谢了
1、为控制电流的半导体器件；fT=βfo。三极管，为半导体三极管，为一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
2、f9530n是mos管，不是三极管。f9530n是非常常见的管子，一般在电子市场都有卖的。直接买同型号的替换即可。
3、这是一个P沟道功率场效应管，实际型号为NTD2955， ON代表安森美半导体公司，具体参数看图片。这个场效应管在很多电路都有应用，网上也有很多地方有卖的。
4、PN2907A是小信号PNP晶体管，属硅外延平面PNP管，互补对管的型号是PN2222A NPN三极管，封装TO-92。适用于电视和家电设备，高增益、饱和压降低的小负荷开关晶体管设计。
5、三极管c2655的参数：60V，2A，0.9W。可用：才c182C207C207D23D313代换。该管为硅管NPN型，60V 2A 0.9W高频管，可以用国产3DK10C代替。也可以用BD51BD525或者2SA1020代替。
6、①、向这贴片三极管丝印 1F所表示的型号为：BC847B属于NPN型管 封装为：S0T-23 其参数是：/耐压：50V/电流：0.1A/频率：30MHz/ 可用BCW7BCW7BCW81代替。
MOS管的型号怎么看?
根据查询百度文库得知，mos管查看型号和功率方法如下：观察器件的外观：晶体管通常有一个半导体的封装，上面会标有一些数字和字母。这些信息通常会包括型号和功率。
第二种命名方法是采用字母“CS”+“xx#”的形式，其中“cs”代表场效应管，“xx”以数字代表型号的序号，“#”用字母代表同‘型号中的不同规格，如CS16A、CS55G等。常见的金属封装场效应管的外形图如图6-9所示。
MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
N3796中的2N表示三极管，1N456A中的1N表示二极管；2N，1N后面的数字是编号，具体功能参数要查型号手册。IRF740是MOSFET，IRF是厂家的名称缩写。
然后，很多MOS管比如SK4965这样的型号一下子看不出来参数，也不方便通过电压电流参数反查型号。