本文目录一览：
- 1、什么是pwm驱动mos管开关?
- 2、MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里?谢谢了
- 3、Pmos管开关电路?
- 4、场效应管工作原理
- 5、MOS开关电路
- 6、想用一个mos管做开关,单片机的I/O口控制一个5V/3W的led灯,用p沟道好...
什么是pwm驱动mos管开关?
1、pwm是脉冲宽度调制的缩写，它是一种模拟控制方式，是根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，以此来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。
2、PWM信号是PWM，英文名Pulse Width Modulation，是脉冲宽度调制缩写，是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。
3、常见pwm驱动mos管开关电路 IRF540就是很常用的MOS管了，特殊负载如H桥里面的双MOS驱动。有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。
4、PWM驱动是利用数字输出控制模拟电路的技术。PWM驱动利用微控制器的数字输出来控制模拟电路，调整脉冲信号的占空比实现对设备供电的调节。
5、mos管的栅极g比源极s高5v—10v，mos管就可以导通。PWM输出占空比可调的方波，作为驱动输入mos管的栅极g，高电平时栅极电位高与源极5v就导通了；低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断。
6、脉宽调制PWM是开关型稳压电源中的术语。这是按稳压的控制方式分类的，除了PWM型，还有PFM型和PWM、PFM混合型。
MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里?谢谢了
1、N沟道的MOSFET和P沟道的MOSFET区别就是驱动上面，N沟道的Vgs是正的，P沟道的Vgs是负的。只要Vgs达到了打开的门限值，漏级和源级就可以过电流了。
2、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。
3、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。
4、MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
5、N通道的开关切换速度较快，大多数开关电路或线性稳压，会使用N通道；P通道也是可以使用的，只是速度较慢，较少采用，设计上，电路也与N通道的相反。有时候，有些设计，是会采用N+P的电路设计，尤其笔记本上很常见。
6、P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。
Pmos管开关电路?
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
场效应管工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应管可以用作电压放大器，将输入信号的电压放大到更高的电压。
MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。
场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。 结型场效应管(JFET) (1)结构原理 它的结构及符号见图1。
MOS开关电路
1、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。
2、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
3、mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
4、带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
5、MOS开关电路 MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。
想用一个mos管做开关,单片机的I/O口控制一个5V/3W的led灯,用p沟道好...
1、要是控制1W或是3W的LED，最好是用CMOS管驱动。CMOS管的栅极接单片机的PWM脉冲输出脚。LED单独供电时，要单片机电源与LED电源共地。
2、电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
3、具体的分析，见文章《带软开启功能的MOS管电源开关电路》不过要求2A电流的话，图示的MOS管已经到达上限了，除非有充足的降温措施，不然稳定性不够，还是换用更大封装的管子会比较好。
4、是100V10A的管子，一点余量都没有满载工作不可靠，可以选50N06，它是50A60V的。
5、ADO3400的导通，并不是你给g端一个高电平就行的，而是Ugs大于某个值。假如MOS管是导通的，OUT输出5V，那么g端电压必须维持在5V+开启电压。
6、很晕！如果一个I/O口驱动一个LED，只要I/O口低电平有效LED串一个470Ω的电阻即可，如果驱动多个LED只要按下图即可：如果Vcc=5v；则R0=1KΩ-1KΩ；Rn=470Ω。如果晶体管用S8550，那么同时点亮5个LED是没问题的。