mos管输出特性（mos管输出特性曲线电路搭建）

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这个肯定是已知的就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上当vds=10v的时候只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区）所以说要9v以上才能让管子完全导通。

）一般判断增强型、耗尽型；当 Ugs = 0 时，Id 不等于 0，即是其绝对值大于 0 的，就是耗尽型，反之就是增强型；增强型的 Ugs 曲线不过 0，耗尽型的 Ugs 曲线必过 0；2）通常 Id 以流入漏极为正，流出为负。

定义参数t的点列，定义xx和yy为0，分别求存储和计算得到的bezier曲线对应的x坐标和y坐标的极板值。最后计算对应点列中bezier曲线的值，绘制贝塞尔曲线，相应的控制多边形和控制顶点，这样便画出了mos管特性曲线。

静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

mos管的特性曲线：耗尽型mos管通常被称为“开关导通”器件，因为它们通常在栅极端没有偏置电压时处于闭合状态。当我们以正向增加施加到栅极的电压时，沟道宽度将在耗尽模式下增加。这将增加通过沟道的漏极电流ID。

1、在曲线中，工作区可分为三部分：可调电阻区（或称非饱和区）；饱和区；击穿区。

2、三极管的输入输出特性曲线通常被分为以下几个区域：截止区：当输入电压小于截止电压时，三极管处于截止状态，此时输出电流为0，输入输出特性曲线上对应的点为截止点。

3、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

mos管输出特性（mos管输出特性曲线电路搭建）

数电中，MOS管相当于开关，工作于可变电阻区或截止区：其工作于可变电阻区时，相当于开关闭合，其工作于截止区时，相当于开关断开。

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

在数字电路中工作在导通区或截止区，在模拟电路中三种状态都可能出现：导通区、放大区、截止区。

1、电力MOSFET的基本特性 (1)静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。

2、电力mosfet不具备静态特性这句话是错误的。

3、场效应管的特点就是利用多数载流子导电，温度稳定性较好。场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107—1012Ω）很大。

4、，电力场效应晶体管分为两种类型，结型和绝缘栅型，但通常所说的是绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET。2，P-MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，它的显著特点是驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高。

5、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

功率场效应管与双极型功率晶体管之间的特性比较如下：驱动方式：场效应管是电压驱动，电路设计比较简单，驱动功率小；功率晶体管是电流驱动，设计较复杂，驱动条件选择困难，驱动条件会影响开关速度。

场效应管的抗辐射能力强；由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。

MOS场效应管：其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω），它也分N沟道管和P沟道管。

具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管的特性开关特性。

1、MOS管的特性：它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

2、条件是VGS电压为负压，且电压的绝对值大于最低开启电压。P沟道MOS管是一种常用的场效应管，其开启条件为VGS电压为负压，电压的绝对值大于最低开启电压。

3、对的问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。

4、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。