mos管的输入阻抗（mos管输入阻抗高,后级电路对前级电路影响小）

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不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

MOS管优点：电压控制；控制方式比较方便。体积小，重量轻，寿命长。输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功耗低。缺点：熟悉的人比较少；（相比三极管而言）。对静电比较敏感，容易被静电击穿。

优点：场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

三极管和MOS管做开关用时可用以下两种方法来区别。工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。

内阻除了可以指输入阻抗，也可能指输出阻抗，确切意义要看具体场合，所以内阻和输入阻抗的定义不完全是一回事。在你举出的那句话——比如MOS管就是这样，内阻小，输入阻抗高——里，“内阻”就是指输出阻抗。

输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗，输出阻抗是指一个信号源的内阻。

所以本人认为楼主所提的问题中：内阻是指某电子元件和材料有关的电阻性质，其大小对于不同频率的电流来说没有区别，而阻抗是元件非材料方面的性质。希望我的回答能起到抛砖引玉的作用，则本人不胜荣幸。

对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响；而对于电流驱动型的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻。

所谓的输入阻抗与输出阻抗指的是交流输入阻抗与输出阻抗。在加入交流信号时，信号交流电压与注入基射间信号交流电流的一个比值，此时的be等效为阻抗z，称为输入阻抗。

沟道电阻与电流成正比，与沟道长度呈正相关，与沟道宽度呈反相关。因此，在设计mos管时，需要根据具体的使用场合和需要的电性能选择合适的沟道长度和宽度，以达到合适的内阻。

mos管的输入阻抗（mos管输入阻抗高,后级电路对前级电路影响小）

MOS管的输入电阻很高是因为其输入端的门极是一个金属氧化物层（MOS）薄膜，相对于BJT（双极型晶体管）的PN结，MOS管的氧化层薄，所以输入电阻很高。具体来说，MOS管的输入电阻由金属氧化物层（MOS）的电容和漏电阻值组成。

MOS是“金属-氧化物-半导体”的缩写，MOS电路由MOSFET（场效应管）构成，MOSFET的栅极与衬底及其他部分有绝缘层隔离，因此栅-衬间的电阻极大，而MOS电路的输入内部就是与栅极相接，所以输入阻抗高。

确切来说，是绝缘栅型场效应管输入电阻高。主要原因是场效应管是电压控制元件，理想的场效应管栅极G与源极S间基本上是无电流的，只有控制电压，但G与S间是绝缘的，因此电阻非常大，通常为10的八次方。

输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。使用MOS管做开关管，其输入阻抗高达100MΩ，这对激励信号不会产生压降，只要有一点电压就可驱动。开关速度快。开关速度在10~100ns，工作频率高达100kHz以上。

阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。