mos管放大电流（mos管放大电压）

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只要MOS管的互导增益足够大（通常最大漏极电流大的管型这个指标也高），不用多级，一级就可以获得这样的电流，例如IRFZ44N差不多就可以了，再不然找IRFP064。

可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。

三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

mos管放大电流（mos管放大电压）

1、场效应管不需要输入电流就能“放大”出电流，因此“电流放大倍数”是无穷大，所以没有人去讨论这个参数。

2、不能。因为场管时电压控制电流的管子，且场管工作在放大区的时候，场管本身的状态是工作于恒流状态下，这样才能放大，恒流就是漏极电流Id不变，所以没有电流放大作用的。

3、场效应管是一种半导体器件，它可以将控制电场转换为放大电流，从而实现电子信号的放大。场效应管的工作原理可以分为以下几个步骤：PN结的形成场效应管的基本结构由P型半导体和N型半导体组成，它们之间形成了PN结。

4、不能。场效应管是电压放大型器件，能放大电压不能放大电流，复合后并无电压叠加关系，且两只场效应管均无法获得应有的所有电压，不能放大。所以不能组成复合管。

1、简单地讲，就是用小的电流变化，利用晶体管的线性工作区域所谓放大特性，带动大的电流变化，起到放大作用。

2、所以β没有量纲。MOS管具有放大作用的基础是电压vgs对电流id的控制作用，这个控制量是gm，定义 gm=id/vgs，电流被电压除，它的量纲应该是电导。但是电压电流不在同一个回路中，所以过去就命名为跨导，回来才改成互导。

3、通常在数千到数百万之间。MOS管的漏电流指的是MOS管通道内的电流，当MOS管的控制电压为0时，MOS管的漏电流也很小。MOS管在电路中有许多应用，如控制电流、放大电流、放大电压、放大信号、过滤噪声等。

4、电流放大下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib；把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

MOS放大器是电压放大器。它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。

1、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

2、MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的漏极电流通常由以下公式计算：ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中：ID 代表漏极电流（Drain Current）。

3、mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

1、A。MOS管承受电流6到9A最大不会超过20A。三极管最大特点是输入阻抗高。作为放大电路或者担任功率放大也可以。

2、没提到VDS的要求，最大的如VISHAY的：SI2333CDS ：最大可以-1A，在VGS -0.45V；SI2377EDS 可以到-4A。

3、A。根据查询百度百科信息显示，贴片mos管电流8A，贴片MOS管具有尺寸小和轻量化的优点，用于紧凑空间和轻量化产品的设计。

4、IXFN44N50Q2：这是英飞凌公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达44安培，最大漏极电压可达500伏特。