mos管并联二极管（mos管 gs并二极管）

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1、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

2、mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。

3、保护管子的，防止管子击穿，电压相对较低的一般加的几K的电阻。

4、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

5、在整流电路；二极管串联使用可增加反压承受值。在稳压电路；二极管串联等于二极管稳压值之和。二极管并联使用理论上是额定电流之和，但考虑到不可能绝对对称因素，只能低于总和的80%利用。

1、快恢复二极管：可理解为快速二极管，高频二极管，通常用在开关电源做整流二极管，逆变电路做续流、反压吸收二极管。二极管是单PN结半导体器件，具有单向导电特性，当施加正向电压时导通、反向电压时截止。

2、叫做阻尼二极管，在震荡电路中保护mos管，防止3脚电压过高击穿mos管。

3、MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

4、其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。雪崩二极管的反向击穿是可逆的、可恢复的，自身不会损坏。

5、快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。结构组成：二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

6、这个快恢复二极管是抗静电用，MOS管栅极阻抗很大，很容易感应高电压击穿栅极。这个二极管是个双向的稳压二极管保护栅极电压不会太高。

1、本身的寄生二极管就是防止有瞬间反向电流过大，可从此二极管释放，防止烧掉管子。所以一般承受电流能力可以，并不需要在并联反向二极管保护。

2、不能。1N5408是普通整流二极管，速度比快速恢复二极管慢得多，PN结电容也大得多，在高频信号作用下没有单向导通的效果，等于一支电阻。

3、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。

4、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

mos管并联二极管（mos管 gs并二极管）

mos管旁边并以二极管用于，防止mos管反向击穿。大部分二极管所具备的电流方向性通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。

MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

1、内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属（M）-氧化物（O）-半导体（S）场效应管，一般称为绝缘栅极场效应管。

2、二极管在这里一是做两个运放输出端的隔离，二是达成驱动功率场效应管的“线与”作用。

3、那个二极管叫续流二极管(也称阻尼二极管)，它与场效应管集成在一起。大多数大功率场效应管都自带继流二极管。