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反激式开关电源mos管d与s极之间并多大的电容
1、但是将5V接5欧电阻时，问题很严重：刚上电时，变压器蜂鸣逐渐加重，MOSFET两端电压反常，波形如下图，而且测得的周期（约75us）与设计值（40kHz，25us）差了3倍。这是过载了，芯片进入了降频保护模式。
2、相当于两个背靠背连接的PN结，它们之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
3、这里的电容就是一个中转站了。减小纹波最有效的方法就是滤波电路，可通过电抗器和电容器来实现，理论上是容量越大滤波效果越好，但容量太大就变成了容性负载，所以是配得足够负载工作就好了。
4、MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
5、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
mos管D,S两端并联的电容有什么作用?
1、用来吸收MOS开关瞬间的纹波的，起到保护MOS的作用，那颗电容有个专门的名字“Snubber”，容量并不一定都是0.1uf，根据实际情况选择。
2、多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。
3、接电容，就是干电容改做的工作，滤波，抗干扰这些。
PMOS管的栅极和漏极之间的等效电容
当栅极电压从0升到开启电压UGS（th）时，C4使整个栅源电容增加10%～15%。（4）C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成，当漏极电压改变极性时，其可变电容值变得相当大。
mos管因其栅极与漏极之间是存在绝缘栅的，因此栅极和漏极之间是有电容存在的，可以直接作一个小电容来使用。mos管做dummy的方法是把两端围住，全接地即可。
当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。
由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，随增益变化，而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度，增加开通关断时间。
举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。
若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。